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集積回路研究会 (ICD) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-04-17 to:2008-04-17」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2008-04-17 09:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ ○佐々木貴彦・川澄 篤・矢部友章・武山泰久・平林 修・櫛田桂一（東芝）・東畑晃史（東芝マイクロエレクトロニクス）・片山 明・深野 剛・藤村勇樹・大塚伸朗（東芝）  ICD2008-1 |
$0.7V$単一電源により$1GHz$動作する$64kB$SRAMマクロを開発した [1] 。$45nm$テクノロジーを... [more] | ICD2008-1 pp.1-6 |
| ICD | 2008-04-17 10:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM ○山岡雅直（日立）・前田徳章・島崎靖久（ルネサステクノロジ）・長田健一（日立） ICD2008-2 |
NMOSとPMOSの基板バイアスを個別制御するSRAMモジュールを提案した。このSRAMモジュールでは、メモリセルのリー... [more] | ICD2008-2 pp.7-12 |
| ICD | 2008-04-17 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM ○加来真理子・岩井 斎・永井 健・和田政春・鈴木 淳・高井智久・糸賀尚子・宮崎隆行・岩井隆之（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治・大塚伸朗（東芝） ICD2008-3 |
本報告書で紹介するeDRAMはグラフィックス用途向けに開発された疑似2ポートeDRAMである。リードライトクロスポイント... [more] | ICD2008-3 pp.13-18 |
| ICD | 2008-04-17 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術 ○白井浩樹・石川亮佑・伊藤雄一・北村卓也・竹内麻美・佐甲 隆・井上 顕・川崎 澄・勝木信幸・星崎博之・桑原愼一・夏目秀隆・坂尾眞人・谷川高穂（NECエレクトロニクス） ICD2008-4 |
コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM デバイス技術について報告する。我々は150nm 世代より低消費電力かつ高速... [more] | ICD2008-4 pp.19-24 |
| ICD | 2008-04-17 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | 43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発 ○中村 大・神田和重・小柳 勝・山村俊雄・細野浩司・吉原正浩（東芝）・三輪 達・加藤洋介（サンディスク）・Alex Mak・Siu Lung Chan・Frank Tsai・Raul Cernea・Binh Le（サンディスクコーポレーション）・牧野英一・平 隆志（東芝） ICD2008-5 |
43nm CMOS テクノロジを用いた16 ギガビット4 値NAND フラッシュメモリを開発した．66NANDと新規コン... [more] | ICD2008-5 pp.25-30 |
| ICD | 2008-04-17 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SSD動向とNANDフラッシュメモリ ○竹内 健（東大） ICD2008-6 |
NANDフラッシュメモリのコストが劇的に低下したことにより、NANDフラッシュメモリをPCのストレージとして使うSSD(... [more] | ICD2008-6 pp.31-36 |
| ICD | 2008-04-17 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［パネル討論］大容量フラッシュメモリの可能性を探る ～ 進行するフラッシュ革命のインパクト ～ ○梶谷一彦（エルピーダメモリ）・篠崎直治（Spansion）・柿原俊男（日立グローバルストレージテクノロジーズ）・神田和重（東芝）・小林三千夫（Spansion）・佐圓 真（日立）・杉林直彦（NEC）・竹内 健（東大）・塚澤寿夫（東芝） ICD2008-7 |
今やフラッシュメモリはDRAMに代わって半導体微細加工技術を牽引し、その結果得られたビットコストの低減と、大規模な投資に... [more] | ICD2008-7 pp.37-38 |
| ICD | 2008-04-18 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | 2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ ○松藤謙介・行川敏正・中野浩明・伊藤 洋・和田 修・大塚伸朗（東芝） ICD2008-8 |
アンチヒューズを用いたPure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmable(PCOP）メモリ... [more] | ICD2008-8 pp.39-44 |
| ICD | 2008-04-18 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］自動車用MCU対応8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向 ○河井伸治・細金 明・久家重博・阿部俊広・橋本康平・大石 司・辻 直樹・榊原清彦・野口健二（ルネサステクノロジ） ICD2008-9 |
この論文は、メモリセルとして2つの独立したチャンネルを持つDual-channel NOR-type flash mem... [more] | ICD2008-9 pp.45-50 |
| ICD | 2008-04-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電子システムの環境中性子線起因のエラーの現状と対策 ～ マルチノードアップセット問題の対応 ～ ○伊部英史（日立） ICD2008-10 |
地上における民生用半導体デバイスのソフトエラーの主因として環境中性子線の影響が２０００年前後から顕在化しはじめ、各種の問... [more] | ICD2008-10 pp.51-56 |
| ICD | 2008-04-18 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子 ○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田 忍（東芝） ICD2008-11 |
ナノメートルスケールのＳｉ微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] | ICD2008-11 pp.57-62 |
| ICD | 2008-04-18 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | 共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ ○根橋竜介・崎村 昇・杉林直彦・本庄弘明・齊藤信作・加藤有光・笠井直記（NEC） ICD2008-12 |
我々は、面積効率が高い混載向けMRAMマクロを提案する。このマクロに導入された、2T1MTJ-MRAMセル技術に基づく共... [more] | ICD2008-12 pp.63-68 |
| ICD | 2008-04-18 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | 半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ ○崎村 昇・杉林直彦・根橋竜介・本庄弘明・斉藤信作・加藤有光・笠井直記（NEC） ICD2008-13 |
0.15um、1.5V CMOS技術を用いた1Mbit MRAMマクロにおいて不揮発メモリとして最高速の250MHz動作... [more] | ICD2008-13 pp.69-74 |
| ICD | 2008-04-18 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証 ○中山昌彦・甲斐 正・下村尚治・天野 実・北川英二・永瀬俊彦・吉川将寿・岸 達也・池川純夫・與田博明（東芝） ICD2008-14 |
ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな情報書き込み電流と十分な情報不揮発性を両立させることが必要である。垂直磁... [more] | ICD2008-14 pp.75-78 |
| ICD | 2008-04-18 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性 ○玉井幸夫（シャープ）・島 久・秋永広幸（産総研）・細井康成・大西茂夫・粟屋信義（シャープ） ICD2008-15 |
Ta/CoO/Pt構造のRRAMにて、20ns高速スイッチング、100$\mu$A程度の低リセット電流および良好な書換え... [more] | ICD2008-15 pp.79-82 |
| ICD | 2008-04-18 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | 先端不揮発性メモリの将来展望とそのBiCS型積層化に関する基礎検討 ～ FeRAMのBiCS型積層化に関する基礎検討 ～ ○渡辺重佳（湘南工科大） ICD2008-16 |
[more] | ICD2008-16 pp.83-88 |
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