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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研)， 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック)， 諏訪 智之 (東北大)

日時 2022年 6月21日(火)　13:00 - 18:00
議題 MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 
会場名 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー（VBL）3F ベンチャーホール 
交通案内 http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access.html
会場世話人
連絡先		 細井 卓治 （関学大）
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて		 以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて		 この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（SDM研究会）についてはこちらをご覧ください．

6月21日(火) 午後 
13:00 - 18:00
(1) 13:00-13:40 ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 SDM2022-24 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚　理（名大）
(2) 13:40-14:00 多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成 SDM2022-25 ○橋本　薫・柴山茂久・安坂幸師・中塚　理（名大）
(3) 14:00-14:20 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 SDM2022-26 ○安田　航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
  14:20-14:30 休憩　（ 10分 ）
(4) 14:30-15:10 ［依頼講演］オペランド・ナノX線分光を活用した次世代高周波デバイス研究 SDM2022-27 ○吹留博一（東北大）
(5) 15:10-15:50 ［依頼講演］TMD混晶の物性と新規低温CVD原料の探索 SDM2022-28 ○小椋厚志・横川　凌（明大/MREL）・若林　整（東工大）
(6) 15:50-16:30 ［依頼講演］遷移金属カルコゲン化合物ヘテロ構造体の電子物性 SDM2022-29 ○丸山実那（筑波大）
  16:30-16:40 休憩　（ 10分 ）
(7) 16:40-17:20 ［招待講演］WSe2 n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ SDM2022-30 ○川那子高暢・松﨑貴広・梶川亮介・宗田伊理也・星井拓也・角嶋邦之・筒井一生・若林　整（東工大）
(8) 17:20-17:40 SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御 SDM2022-31 ○木村圭佑・田岡紀之・西村駿介・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
(9) 17:40-18:00 Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御 SDM2022-32 ○酒井大希・松下圭吾・大田晃生・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大）

講演時間
一般講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
招待講演発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分
依頼講演発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 SDM幹事：森 貴洋（産業技術総合研究所）
電話 029-849-1149
E-Mail -aist 


Last modified: 2022-05-09 12:05:56


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