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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-10-09 to:2008-10-09」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2008-10-09 13:30 |
宮城 | 東北大学 | ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価 ○谷 クン・根本剛直・寺本章伸・伊藤隆司・大見忠弘（東北大）  SDM2008-149 |
[more] | SDM2008-149 pp.1-6 |
| SDM | 2008-10-09 14:00 |
宮城 | 東北大学 | 高精度CMP終点検出方法の検討 谷 クン・○根本剛直（東北大）・Ara Philipossian・Yasa Adi Sampurno（Univ. of Arizona/Araca）・Jiang Cheng（Araca）・Yun Zhuang（Univ. of Arizona/Araca）・寺本章伸・伊藤隆司・大見忠弘（東北大） SDM2008-150 |
[more] | SDM2008-150 pp.7-12 |
| SDM | 2008-10-09 14:30 |
宮城 | 東北大学 | エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化 ○沼田雅之・黒木伸一郎・藤井俊太朗・小谷光司・伊藤隆司（東北大） SDM2008-151 |
CWレーザアニールはガラス基板上でグレインサイズ20×2 µm2の大粒径poly-Si薄膜を得ることができ、... [more] | SDM2008-151 pp.13-16 |
| SDM | 2008-10-09 15:00 |
宮城 | 東北大学 | マルチスケール配線寿命予測シミュレータの開発とCu配線への応用 ○坪井秀行・鈴木 愛・サヌーン リアド・古山通久・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・デルカルピオ カルロス・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-152 |
[more] | SDM2008-152 pp.17-18 |
| SDM | 2008-10-09 15:45 |
宮城 | 東北大学 | 計算化学手法によるダイヤモンドライクカーボン(DLC)の摩擦特性・微細構造の検討 ○栗秋貴謹・森田祐輔・小野寺 拓・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-153 |
ダイヤモンドライクカーボン（DLC）はその低摩擦特性, 耐摩耗特性からトライボロジー材料として工業的に有用である. しか... [more] | SDM2008-153 pp.19-20 |
| SDM | 2008-10-09 16:15 |
宮城 | 東北大学 | Tight-Binding Quantum Chemistry Study on Excitation Properties of Perylene with Acrylic Acid on Anatas(001) Surface ○Chen Lv・Kei Ogiya・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Carlos A. Del Carpio・Momoji Kubo・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.） SDM2008-154 |
[more] | SDM2008-154 pp.21-22 |
| SDM | 2008-10-09 16:45 |
宮城 | 東北大学 | 計算化学によるプラズマディスプレイ用電極保護膜材料の二次電子放出特性評価 ○芹澤和実・山下 格・大沼宏彰（東北大）・菊地宏美（東北大/広島大）・北垣昌規（広島大）・鈴木 愛・Sahnoun Riadh・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・デルカルピオ カルロス・久保百司（東北大）・梶山博司（広島大） SDM2008-155 |
[more] | SDM2008-155 pp.23-24 |
| SDM | 2008-10-09 17:15 |
宮城 | 東北大学 | 超高速化量子分子動力学法に基づく構造解析・分光シミュレータの開発とシリコン半導体への応用 ○遠藤 明・山下 格・芹澤和実・大沼宏彰・小野寺 拓・古山通久・坪井秀行・畠山 望・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-156 |
[more] | SDM2008-156 pp.25-28 |
| SDM | 2008-10-10 10:00 |
宮城 | 東北大学 | 三次元多孔質構造に基づく色素増感TiO2電極の電子移動シミュレーション ○扇谷 恵・呂 晨・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-157 |
[more] | SDM2008-157 pp.29-30 |
| SDM | 2008-10-10 10:30 |
宮城 | 東北大学 | 発光材料の構造とキャリア移動特性に関する計算化学的解析 ○山下 格・大沼 宏彰/・芹澤和実・鈴木 愛・Sahnoun Riadh・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-158 |
[more] | SDM2008-158 pp.31-32 |
| SDM | 2008-10-10 11:00 |
宮城 | 東北大学 | 実験との融合を指向した計算化学手法による蛍光体の構造解析 ○大沼宏彰・山下 格・芹澤和実・鈴木 愛・Sahnoun Riadh・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-159 |
[more] | SDM2008-159 pp.33-34 |
| SDM | 2008-10-10 11:30 |
宮城 | 東北大学 | ペロブスカイト型BaTiO3の誘電特性解析のための超高速化量子分子動力学法の開発 ○肖 紅君・平井 敬・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-160 |
チタン酸バリウムはペロブスカイト型構造を有する代表的な強誘電体材料であり，広範囲に応用されている．本研究では量子計算化学... [more] | SDM2008-160 pp.35-36 |
| SDM | 2008-10-10 13:00 |
宮城 | 東北大学 | B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性 ○川崎洋司・遠藤誠一・北澤雅志・丸山祥輝・山下朋弘・黒井 隆・吉村秀文・米田昌弘（ルネサステクノロジ） SDM2008-161 |
B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにお... [more] | SDM2008-161 pp.37-40 |
| SDM | 2008-10-10 13:30 |
宮城 | 東北大学 | Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2008-162 |
PtSiのn-Siに対する障壁高さを低減することを目的として、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行... [more] | SDM2008-162 pp.41-44 |
| SDM | 2008-10-10 14:00 |
宮城 | 東北大学 | MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価 ○藤澤孝文・須川成利・渡部俊一・阿部健一・寺本章伸・大見忠弘（東北大） SDM2008-163 |
[more] | SDM2008-163 pp.45-50 |
| SDM | 2008-10-10 14:30 |
宮城 | 東北大学 | Impact of Fully Depleted Silicon-On-Insulator Accumualation-mode CMOS on Si(110) ○Ching Foa Tye・Weitao Cheng・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） SDM2008-164 |
[more] | SDM2008-164 pp.51-56 |
| SDM | 2008-10-10 15:15 |
宮城 | 東北大学 | Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関 ○熊谷勇喜・寺本章伸・阿部健一・藤澤孝文・渡部俊一・諏訪智之・宮本直人・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2008-165 |
絶縁膜にFowler-Noldheim（FN）電子注入ストレスを印加した際の、stress induced leakag... [more] | SDM2008-165 pp.57-62 |
| SDM | 2008-10-10 15:45 |
宮城 | 東北大学 | シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響 ○永嶋賢史・赤堀浩史（東芝） SDM2008-166 |
一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用... [more] | SDM2008-166 pp.63-68 |
| SDM | 2008-10-10 16:15 |
宮城 | 東北大学 | 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之（東北大）・荒谷 崇（信越化学）・樋口正顕（東芝）・須川成利（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・牛尾二郎（日立）・野平博司（武蔵工大）・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2008-167 |
研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励... [more] | SDM2008-167 pp.69-74 |
| SDM | 2008-10-10 16:45 |
宮城 | 東北大学 | 原子オーダ平坦化シリコンウェハ表面のAFM評価手法及びデータ解析手法 ○譽田正宏・寺本章伸・諏訪智之・黒田理人・大見忠弘（東北大） SDM2008-168 |
MOSFETの微細化が進むにつれて、シリコン表面の平坦性や均一性はデバイス特性に大きな影響を与える。そこで、原子オーダ平... [more] | SDM2008-168 pp.75-78 |
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