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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-05-13 to:2010-05-13」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 13:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定 ○渡邉 新・江川孝志（名工大）  ED2010-17 CPM2010-7 SDM2010-17 |
[more] | ED2010-17 CPM2010-7 SDM2010-17 pp.1-4 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性 ○永井一弘・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大） ED2010-18 CPM2010-8 SDM2010-18 |
[more] | ED2010-18 CPM2010-8 SDM2010-18 pp.5-9 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 14:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討 ○近藤正樹・秦 貴幸・岡田 浩・若原昭浩・古川雄三（豊橋技科大）・佐藤真一郎・大島 武（原子力機構） ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19 |
[more] | ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19 pp.11-16 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 14:45 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 |
シリコン基板上に作製可能な単電子冷却デバイスを提案し，その単電子トンネル動作について理論的評価を行った．その構造は，単電... [more] | ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 pp.17-21 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 15:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果 ○Earfan Hamid・Juli ChaTarido・Sakito Miki・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（静岡大） ED2010-21 CPM2010-11 SDM2010-21 |
[more] | ED2010-21 CPM2010-11 SDM2010-21 pp.23-26 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 15:50 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出 ○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Sakito Miki・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（静岡大） ED2010-22 CPM2010-12 SDM2010-22 |
[more] | ED2010-22 CPM2010-12 SDM2010-22 pp.27-31 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 16:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果 ○早川泰弘・ムカンナン アリバナンドハン・ゴビンダサミー ラジェッシュ・小山忠信・百瀬与志美・森井久史・青木 徹・田中 昭・岡野泰則（静岡大）・小澤哲夫（静岡理工科大）・稲富裕光（JAXA） ED2010-23 CPM2010-13 SDM2010-23 |
InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料... [more] | ED2010-23 CPM2010-13 SDM2010-23 pp.33-38 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 16:40 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Effect of Temperature on the Formation of ZnS Nanostructures and Properties ○Mani Navaneethan（Shizuoka Univ.）・Jayaram Archana・K. D. Nisha（SMR Univ）・Mukannan Arivanandhan（Shizuoka Univ.）・Suruttaiyaudaiyar Ponnusamy・Chellamuthu Muthamizhchelvan（SMR Univ）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） ED2010-24 CPM2010-14 SDM2010-24 |
[more] | ED2010-24 CPM2010-14 SDM2010-24 pp.39-43 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 10:00 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果 ○以西雅章・加藤 卓（静岡大） ED2010-25 CPM2010-15 SDM2010-25 |
[more] | ED2010-25 CPM2010-15 SDM2010-25 pp.45-49 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 10:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査 ○中村光宏・以西雅章（静岡大） ED2010-26 CPM2010-16 SDM2010-26 |
RFマグネトロンスパッタリング法により、Li二次電池正極用のLiMn2O4薄膜を生成している。本研究では、薄膜の生成条件... [more] | ED2010-26 CPM2010-16 SDM2010-26 pp.51-55 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 10:50 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○茅野真也・山口直哉・以西雅章（静岡大） ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27 pp.57-60 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 11:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | 白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性 ○中村郁太・伊藤達也・以西雅章（静岡大）・星 陽一（東京工芸大） ED2010-28 CPM2010-18 SDM2010-28 |
本研究では, RFマグネトロンスパッタリング法により生成したTiO2薄膜に白金を担持することにより,光触媒特性の向上を図... [more] | ED2010-28 CPM2010-18 SDM2010-28 pp.61-64 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 11:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 ～ Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討 ～ ○後藤達彦・江川 鍛・小川博久・土用下尚外・福田浩幸・犬塚博章・舘 忠裕・藤村直也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大） ED2010-29 CPM2010-19 SDM2010-29 |
有機金属気相成長法によりSi基板上に成長した厚膜CdTe単結晶層を用いた、大面積Ｘ線・γ線画像検出器の開発を目的として研... [more] | ED2010-29 CPM2010-19 SDM2010-29 pp.65-68 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 13:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化 ○李 昌勇・松野文弥・橋元芳昇・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2010-30 CPM2010-20 SDM2010-30 |
Au/n-GaN SBD(Schottky barrier diode)を作製した。Au電極のサイズは1m$m^{2}$... [more] | ED2010-30 CPM2010-20 SDM2010-30 pp.69-73 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面 ○高野 泰・山田洋毅・見崎 龍・高木達也・福家俊郎（静岡大） ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31 |
有機金属気相成長法でSi基板上にGaPを結晶成長させた。4°オフ基板上に700-830℃でGaPを成長させ、成長初期時の... [more] | ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31 pp.75-79 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 14:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 ○田中誠造・野口健太・山根啓輔・出口裕輝・古川雄三・岡田 浩・若原昭浩・米津宏雄（豊橋技科大） ED2010-32 CPM2010-22 SDM2010-32 |
発光機能を有するモノリシック光電子集積回路(OEIC)の実現を目的として，Si/III-V-N/Si構造を用い，LEDイ... [more] | ED2010-32 CPM2010-22 SDM2010-32 pp.81-85 |
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