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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 ○久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大）  ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 |
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] | ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 pp.73-76 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 09:05 |
京都 | 京大桂キャンパス | MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 ○森 拓磨・三好実人・江川孝志（名工大） ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 |
InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元... [more] | ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 pp.55-59 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 14:35 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善 ○加畑智基・堤 達哉・三好実人・江川孝志（名工大） ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119 |
InGaN混晶半導体は、そのバンドギャップ制御により太陽光スペクトルの広範囲をカバーできることから、新たな太陽電池用材料... [more] | ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119 pp.95-99 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 14:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価 ○藤田 周・三好実人・江川孝志（名工大） ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 |
InAlN/AlGaNヘテロ構造は、高耐圧特性と高濃度の二次元電子ガス(2DEG)生成という二つの特長を併せ持つことが期... [more] | ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 pp.97-102 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD ○Makoto Miyoshi・Shigeaki Sumiya・Mikiya Ichimura・Tomohiko Sugiyama・Sota Maehara・Mitsuhiro Tanaka（NGK）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） ED2010-105 SDM2010-106 |
[more] | ED2010-105 SDM2010-106 pp.241-244 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 ○市村幹也・三好実人・田中光浩（日本ガイシ）・江川孝志（名工大） ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 |
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および... [more] | ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 pp.99-103 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT ○三好実人（名工大/日本ガイシ）・今西 敦・石川博康・江川孝志（名工大）・浅井圭一郎・柴田智彦・田中光浩・小田 修（日本ガイシ） |
100mm径エピタキシャルAlN/サファイア上へのAl0.26Ga0.74N/AlN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を... [more] | ED2004-217 MW2004-224 pp.31-35 |
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