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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME, SDM (共催) |
2011-04-15 13:50 |
佐賀 | 産総研九州センター | ［招待講演］電荷変調分光法・光第2次高調波発生法による有機FETの動作解析 ○間中孝彰・川島 啓・田中康之・岩本光正（東工大）  SDM2011-7 OME2011-7 |
[more] | SDM2011-7 OME2011-7 pp.25-30 |
| OME, OPE (共催) |
2010-11-12 13:00 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | パルス電圧印加によるテトラセン電界効果トランジスタ内の電界発光メカニズム ○大嶋優記・金 英輝・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2010-55 OPE2010-125 |
テトラセン電界効果トランジスタ(FET)に対して、パルス電圧を印加した際に観測されるエレクトロルミネッセンス(EL)の発... [more] | OME2010-55 OPE2010-125 pp.1-5 |
| OME, OPE (共催) |
2010-11-12 13:25 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | 熱刺激電流測定法を用いた色素分散型電気光学ポリマーの熱安定性評価 ○上原茂雄（東工大）・山田俊樹・大友 明（NICT）・田口 大・間中孝彰・岩本光正（東工大） |
[more] | |
| OME, EID (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2010-07-12 16:35 |
東京 | 機械振興会館 | 光学的手法によるITO/PI/P3HT/Au構造内のキャリア挙動評価 ○宮沢 亮・田口 大・間中孝彰・岩本光正（東工大） EID2010-6 OME2010-41 |
[more] | EID2010-6 OME2010-41 pp.27-30 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2010-06-25 14:50 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修2号室 | キラルなポリジアセチレン薄膜の作製とその重合過程の検討 ○金 英輝・篠 竜徳・大嶋優記・間中孝彰・岩本光正（東工大） EMD2010-11 CPM2010-25 OME2010-30 |
光重合過程への円偏光の導入により、キラルなポリジアセチレン(PDA)薄膜の作製が可能である。本手法では、モノマー蒸着時の... [more] | EMD2010-11 CPM2010-25 OME2010-30 pp.13-17 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 15:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］光学的手法で見る有機薄膜トランジスタにおける電荷のダイナミクス ○間中孝彰・岩本光正（東工大） SDM2010-13 OME2010-13 |
[more] | SDM2010-13 OME2010-13 pp.59-64 |
| OME | 2010-01-12 09:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［チュートリアル講演］有機FETにおけるキャリアダイナミクス ○間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2009-66 |
[more] | OME2009-66 pp.1-6 |
| OPE, OME (共催) |
2009-11-13 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | 光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価 ○田口 大・長田憲司郎・マーティン ワイス・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2009-56 OPE2009-151 |
積層有機EL試料（IZO/NPB/Alq/Al）にパルス電圧を印加し、電場誘起光第2次高調波発生（EFISHG）法を用い... [more] | OME2009-56 OPE2009-151 pp.19-23 |
| OME | 2009-09-03 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | SHG・ラマンイメージングによるペンタセンFETにおける電界・電荷分布評価 ○間中孝彰・川島 啓・田中康之・岩本光正（東工大） OME2009-38 |
[more] | OME2009-38 pp.13-18 |
| CPM, EMD, OME (共催) |
2009-06-19 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | 電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価 ○宮沢 亮・田口 大・Martin Weis・間中孝彰・岩本光正（東工大） EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25 |
P3HT を半導体層とするMIS 構造素子のCMS、C-V 特性を測定した。C-V 特性から、電極から注入されたホールの... [more] | EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25 pp.23-26 |
| OME | 2009-05-22 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ペンタセンFETのキャリア輸送に対する絶縁膜の効果 ～ TRM-SHGで見る界面トラップ ～ ○間中孝彰・柳 飛・中尾元春・Weis Martin・岩本光正（東工大） OME2009-18 |
[more] | OME2009-18 pp.49-54 |
| OME | 2009-05-22 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | P(VDF-TrFE)LB膜を絶縁層とするFETにみられるヒステリシスの解析 ○陳 翔宇・欧陽 威・Martin Weis・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2009-19 |
[more] | OME2009-19 pp.55-59 |
| OME | 2008-12-11 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 有機EL現象を用いた交流電界下でのキャリア注入過程の評価と解析 ○大嶋優記・金 英輝・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2008-79 |
交流電界下での有機ELメカニズムを明らかにするため、OFETからのEL観測を行った。テトラセンFETに対して矩形波の交流... [more] | OME2008-79 pp.19-24 |
| OME, OPE (共催) |
2008-11-14 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 電界誘起光第二次高調波発生法による有機電界効果トランジスタの面内電界分布 ○中尾元春・間中孝彰・Martin Weis・林 銀珠・岩本光正（東工大） OME2008-71 OPE2008-131 |
電流密度jはj=en$\mu$Eと表わされるので、有機電界効果トランジスタの解析では、電荷密度en(キャリアの起源)・移... [more] | OME2008-71 OPE2008-131 pp.23-28 |
| OME | 2008-10-31 14:50 |
東京 | 東大本郷 工学部６号館３階セミナー室Ａ | 固体上へのハイブリッド脂質膜の作製とその誘電特性の評価 ○西村保広・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2008-54 |
[more] | OME2008-54 pp.21-24 |
| OME | 2008-10-31 16:05 |
東京 | 東大本郷 工学部６号館３階セミナー室Ａ | 時間分解SHGイメージングによるペンタセンFETへの両極性注入の評価 ○間中孝彰・中尾元春・林 銀珠・岩本光正（東工大） OME2008-57 |
[more] | OME2008-57 pp.37-42 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2008-06-27 16:20 |
東京 | 機械振興会館 | 強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価 ○吉田周平・田村亮祐・林 銀珠・間中孝彰・岩本光正（東工大） EMD2008-20 CPM2008-39 OME2008-41 |
強誘電体をゲート絶縁膜とするペンタセンFETを用いて、ソース・ドレイン電極にAuを用い場合とAlを用いた場合の特性の違い... [more] | EMD2008-20 CPM2008-39 OME2008-41 pp.53-57 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2008-06-27 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | 有機FETにおけるキャリア挙動の電極金属依存性 ～ 時間分解SHイメージングによる直接観測 ～ ○間中孝彰・中尾元春・Martin Weis・柳 飛・林 銀珠・岩本光正（東工大） EMD2008-21 CPM2008-40 OME2008-42 |
[more] | EMD2008-21 CPM2008-40 OME2008-42 pp.59-64 |
| OME | 2008-05-29 16:20 |
東京 | 電気倶楽部第３会議室 | 円偏光誘起したキラルポリジアセチレンの電界発光現象の観測 ○金 英輝・深田正憲・大嶋優記・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2008-30 |
ガラス基板上に作製したジアセチレン薄膜について、光重合過程に円偏光を用い、合成した青相ポリジアセチレンにキラリティーを誘... [more] | OME2008-30 pp.51-54 |
| OPE, OME (共催) |
2007-11-16 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | 交流電界下における有機FET構造素子からのエレクトロルミネッセンス観測とその解析 ○大嶋優記・金 英輝・林 銀珠・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2007-64 OPE2007-131 |
矩形波の交流電界によって、テトラセンFETをnチャネル駆動及びpチャネル駆動の交互に動作させると、ソース電極より電子・ホ... [more] | OME2007-64 OPE2007-131 pp.23-27 |
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