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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 10:05 |
ONLINE | オンライン開催 | 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定 ○森 恵人・高橋佑知・坂井繁太・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー）  ED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52 |
我々はこれまでにInGaN量子井戸(QW)の内部量子効率(IQE)を正確に測定する手法として，光音響(PA)・発光(PL... [more] | ED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52 pp.1-4 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 14:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 ○森 恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー） ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100 |
窒化物半導体の光学的性質を正しく理解するためには，まず内部量子効率(IQE: Internal Quantum Effi... [more] | ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100 pp.101-106 |
| LQE | 2016-12-16 11:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［記念講演］光音響・発光同時計測及び時間分解発光計測による窒化物半導体の内部量子効率と輻射・非輻射再結合寿命の測定 河上航平・中納 隆・○山口敦史（金沢工大） LQE2016-99 |
窒化物半導体の内部量子効率は、発光 (PL)強度の温度依存性から、極低温における内部量子効率を100%と仮定して、求めら... [more] | LQE2016-99 pp.15-20 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 15:55 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定 ○中納 隆・河上航平・山口敦史（金沢工大） ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110 |
窒化物半導体の内部量子効率は、発光 (PL)強度の温度依存性から、極低温における内部量子効率を100%と仮定して、求めら... [more] | ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110 pp.53-58 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 15:16 |
静岡 | 静岡大学 | InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価 ○村越尚輝・トウヒドル イスラム・福田武司・鎌田憲彦（埼玉大）・荒川泰彦（東大） EID2012-21 |
時間分解フォトルミネッセンス（PL）および非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長... [more] | EID2012-21 pp.49-52 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 14:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 ○今井大地・石谷善博（千葉大）・王 新強（北京大物理学院）・草部一秀・吉川明彦（千葉大） ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 |
InNのバンド端発光効率低下を引き起こす深い準位を介したキャリア状態遷移過程について，熱活性型状態遷移過程、非輻射性再結... [more] | ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 pp.103-108 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) |
2012-01-27 14:38 |
秋田 | 秋田大学 手形キャンパス | Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価 ○石岡 亮・五十嵐航平・福田武司（埼玉大）・下村康夫（三菱化学）・鎌田憲彦（埼玉大） EID2011-19 |
高効率、高信頼な蛍光体材料の探索が続けられている．ピーク波長525nmで，250nmから450nm付近での励起が可能なB... [more] | EID2011-19 pp.21-24 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 14:35 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価 ○五十嵐航平・石岡 亮（埼玉大）・塚田悠介（埼玉大/理研）・福田武司・本多善太郎（埼玉大）・平山秀樹（埼玉大/理研）・鎌田憲彦（埼玉大） EID2010-31 |
波長200nm台の深紫外発光用AlGaN系結晶を高効率化するため，MOCVD成長温度880℃と920℃，Inフローの有無... [more] | EID2010-31 pp.41-44 |
| ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD (共催) |
2010-01-28 14:20 |
福岡 | 九州大学(筑紫地区) | InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価 ○山口朋彦・五十嵐航平・福田武司・本多善太郎・鎌田憲彦（埼玉大） |
非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起フォトルミネセンス法を用いて，障壁層と... [more] | EID2009-55 pp.33-36 |
| OPE | 2008-12-19 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | スプレーCVD法によるEr2SiO5結晶薄膜の作製と評価 ○吉澤 純・一色秀夫・木村忠正（電通大） OPE2008-139 |
Er2SiO5結晶はシリコンフォトニクスの発光材料として期待されている。ゾルゲル法で作製されたEr2SiO5結晶からこれ... [more] | OPE2008-139 pp.17-22 |
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