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電子部品・材料研究会 (CPM) (検索条件: 2011年度)
「from:2011-11-17 to:2011-11-17」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 12:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発 ○美濃卓哉（理研/パナソニック電工）・平山秀樹（理研）・高野隆好・野口憲路・椿 健治（理研/パナソニック電工）  ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116 |
深紫外発光ダイオード（深紫外LED）市場の拡大が予想されていることから，我々は，深紫外LEDの低コスト化を目指し，2イン... [more] | ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116 pp.103-106 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 13:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製 ○前田哲利・平山秀樹・藤川紗千恵（理研） ED2011-94 CPM2011-143 LQE2011-117 |
m軸およびa軸オフ角0.15°のc面(0001)サファイア基板上の、MOCVDによるAlN結晶成長の特徴を比較調査した。... [more] | ED2011-94 CPM2011-143 LQE2011-117 pp.107-112 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 13:35 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光 ○美濃卓哉（理研/パナソニック電工）・平山秀樹（理研）・高野隆好・椿 健治（理研/パナソニック電工）・杉山正和（東大） ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118 |
我々は，横方向成長法(ELO)により形成したAlNテンプレートを用いて，Si基板上に256-278nm帯で発光する深紫外... [more] | ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118 pp.113-116 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 14:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | MOCVD法によるsapphire上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長 ○大西裕也・堀江郁哉・酒井士郎（徳島大） ED2011-96 CPM2011-145 LQE2011-119 |
有機金属気相成長(MOCVD)法を用い，Sapphire基板上にトリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)，メタン(CH... [more] | ED2011-96 CPM2011-145 LQE2011-119 pp.117-120 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 14:40 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用 ○有田宗貴・チェ ギヒョン・荒川泰彦（東大） ED2011-97 CPM2011-146 LQE2011-120 |
独自に開発したGaNナノワイヤの無触媒有機金属気相成長法による作製技術(自己形成法および選択成長法)について、得られる結... [more] | ED2011-97 CPM2011-146 LQE2011-120 pp.121-126 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 15:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 ○神村淳平・岸野克巳・神山幸一・菊池昭彦（上智大） ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 |
規則配列GaNナノコラムを貫通転位を含まない高品質テンプレートとして用い、活性層に高In組成InGaN、p型層にMgドー... [more] | ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 pp.127-130 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 15:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） ED2011-99 CPM2011-148 LQE2011-122 |
我々はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)における未踏周波数領域5-12 THz帯の開拓と動作温度の高温化... [more] | ED2011-99 CPM2011-148 LQE2011-122 pp.131-134 |
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