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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
16:15
北海道 北海道大学百年記念会館 イジングマシンでの実験パラメータ探索と最適化によるAu原子接合の量子化コンダクタンス制御
酒井正太郎岩田侑馬塩村真幸木原裕介白樫淳一東京農工大ED2017-113 SDM2017-113
社会システムが大規模化,複雑化するにつれ,その解析や最適化が重要な課題となっている.これらの課題の多くは,組合せ最適化問... [more] ED2017-113 SDM2017-113
pp.39-43
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
16:40
北海道 北海道大学百年記念会館 人工知能により支援されたAu原子接合の作製と量子状態の観測
岩田侑馬酒井正太郎沼倉憲彬白樫淳一東京農工大ED2017-114 SDM2017-114
原子接合を作製する手法の1つとして,フィードバック制御型エレクトロマイグレーション(FCE)法が知られている.この手法で... [more] ED2017-114 SDM2017-114
pp.45-50
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
10:50
北海道 北海道大学百年記念会館 リアルタイムOSによる時間確定型エレクトロマイグレーション制御システム
安藤昌澄金丸祐真齋藤孝成白樫淳一東京農工大ED2013-146 SDM2013-161
金属細線におけるエレクトロマイグレーション(EM)を利用したナノギャップなどのナノ構造形成技法として,EMの発現強度をフ... [more] ED2013-146 SDM2013-161
pp.77-82
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
11:15
北海道 北海道大学百年記念会館 FPGAを用いた超高速フィードバック制御型エレクトロマイグレーション
金丸祐真安藤昌澄齋藤孝成白樫淳一東京農工大ED2013-147 SDM2013-162
エレクトロマイグレーション(EM)を利用したナノギャップ電極の作製手法として,フィードバック制御型エレクトロマイグレーシ... [more] ED2013-147 SDM2013-162
pp.83-87
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
12:05
北海道 北海道大学百年記念会館 ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス
須田隆太郎伊藤光樹森原康平豊中貴大滝川主喜白樫淳一東京農工大ED2013-149 SDM2013-164
ナノギャップに発現するエレクトロマイグレーション現象を利用することで,強磁性単電子トランジスタ(Ferromagneti... [more] ED2013-149 SDM2013-164
pp.95-100
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
09:55
北海道 北海道大学 百年記念会館 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御
伊藤光樹秋元俊介白樫淳一東京農工大ED2011-151 SDM2011-168
我々は,直列に接続された複数のナノギャップに対して,電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション(アクティベーション)を... [more] ED2011-151 SDM2011-168
pp.53-58
SDM 2011-02-07
12:40
東京 機械振興会館 CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響
林 裕美松永範昭和田 真中尾慎一渡邉 桂加藤 賢坂田敦子梶田明広柴田英毅東芝SDM2010-219
CuSiNにはエレクトロマイグレーション(EM)改善効果と配線抵抗の上昇がトレードオフになってしまうという問題があるが、... [more] SDM2010-219
pp.19-23
SDM 2011-02-07
14:10
東京 機械振興会館 光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線
佐藤元伸富士通/JST/産総研)・小川修一東北大/JST)・池永英司高輝度光科学研究センター/JST)・高桑雄二東北大/JST)・二瓶瑞久富士通/JST/産総研)・横山直樹産総研SDM2010-222
Cuに代わる新たなLSI配線材料として、多層グラフェンを検討している。多層グラフェンはCuより低い抵抗率、高い熱伝導率、... [more] SDM2010-222
pp.37-42
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
15:40
沖縄 沖縄県青年会館 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化
上野俊介友田悠介久米 彌花田道庸滝谷和聡白樫淳一東京農工大ED2009-202 SDM2009-199
プレナー型ナノスケールトンネルデバイスの簡便な作製手法である,電界放射電流によって誘起・発現されるエレクトロマイグレーシ... [more] ED2009-202 SDM2009-199
pp.35-39
SDM 2010-02-05
13:30
東京 機械振興会館 CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発
井口 学横川慎二相澤宏一角原由美土屋秀昭岡田紀雄今井清隆戸原誠人藤井邦宏NECエレクトロニクス)・渡部忠兆東芝SDM2009-186
CuAl合金シードプロセスを低誘電率層間膜(k=2.4)と低誘電率積層バリア膜(k=3.9)を用いた32nmノード配線構... [more] SDM2009-186
pp.25-29
SDM 2010-02-05
14:00
東京 機械振興会館 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術
林 裕美松永範昭和田 真中尾慎一坂田敦子渡邉 桂柴田英毅東芝SDM2009-187
Cu配線におけるシリサイドキャップはエレクトロマイグレーション(EM)信頼性を高める選択キャップ技術として有望であるが、... [more] SDM2009-187
pp.31-36
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
09:00
北海道 北海道大学 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法による単電子トランジスタの作製
友田悠介久米 彌花田道庸高橋佳祐白樫淳一東京農工大ED2008-232 SDM2008-224
単電子トランジスタに代表されるナノスケールデバイスの作製技術として、エレクトロマイグレーションを利用した簡便な手法を提案... [more] ED2008-232 SDM2008-224
pp.47-52
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