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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
11:40
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性
山岡優哉大陽日酸)・伊藤和宏名工大)・生方映徳田渕俊也松本 功大陽日酸)・江川孝志名工大ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115
本調査では、成長条件が異なる2種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115
pp.77-80
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
11:00
北海道 札幌市男女共同参画センター 省エネ組み込みヘテロジニアス・マルチコア・プロセッサCOOL Chipの消費電力評価
萩本有哉内田裕之大森貴志日比康守松本祐教トプスシステムズ)・居村史人渡辺直也菊地克弥鈴木基史仲川 博青柳昌宏産総研
 [more]
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
14:15
北海道 札幌市男女共同参画センター 3次元積層LSIシステムに向けた超並列通信バス方式によるチップ間インターコネクト技術
居村史人根本俊介渡辺直也加藤史樹菊地克弥仲川 博産総研)・萩本有哉内田裕之大森貴志日比康守松本祐教トプスシステムズ)・青柳昌宏産総研SDM2012-71 ICD2012-39
我々は3次元積層LSIのチップ間通信技術においてチップ中央部に共通して配置されたシリコン貫通電極(TSV: Throug... [more] SDM2012-71 ICD2012-39
pp.43-48
VLD 2012-03-06
11:00
大分 ビーコンプラザ 省エネ組み込みヘテロジニアス・マルチチップ・プロセッサシステムCOOL ChipのLSI試作
内田裕之萩本有哉森本智之引地信之松本祐教トプスシステムズ)・居村史人渡辺直也菊地克弥鈴木基史仲川 博青柳昌宏産総研VLD2011-122
著者らは低消費電力組み込みヘテロジニアス・マルチチップ・プロセッサシステムCOOL ChipのLSI試作を行った.試作チ... [more] VLD2011-122
pp.13-17
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(併催)
(連催) [詳細]
2012-03-03
13:00
宮城 ホテル松島大観荘 FPGAを用いたUltra-Android用性能評価システムの開発
戸田賢二森川 治産総研)・森本智之萩本有哉内田裕之引地信之日比康守松本祐教トプスシステムズCPSY2011-91 DC2011-95
ヘテロジニアス・マルチコア技術によりAndroid 機器を高速・省電力化するUltra-Androidプラットフォーム開... [more] CPSY2011-91 DC2011-95
pp.193-198
ICD, IE, SIP
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2011-10-25
12:50
宮城 一の坊(仙台) [招待講演]超高精度画像合成向けヘテロジニアス・メニーコア型アプリケーション・プロセッサ・アーキテクチャ
松本祐教TOPSSIP2011-72 ICD2011-75 IE2011-71
自然曲面(ベジエ曲面)に基づく物体形状の表現と35帯域の反射スペクトルによる色モデルに基づくフルHD(1980x1080... [more] SIP2011-72 ICD2011-75 IE2011-71
pp.67-71
VLD 2011-03-04
15:05
沖縄 沖縄県男女共同参画センター 3次元積層LSI開発のためのスケーラブルなプロトタイピング・システム
マルコ チャシン内田裕之萩本有哉宮崎崇史大川 猛池野理門松本祐教トプスシステムズ)・居村史人菊地克弥鈴木基史仲川 博青柳昌宏産総研VLD2010-145
LSIの高性能化のために3次元積層LSIが期待されているが、その開発ではチップ間信号の増加やシステム
の複雑度の増大に... [more]
VLD2010-145
pp.171-175
NS 2011-01-21
14:15
香川 香川大学 FPGAを用いたAndroid OS性能評価システムの開発
戸田賢二産総研)・大川 猛宮崎崇史松本祐教トプスシステムズNS2010-159
(事前公開アブストラクト) Android OSを搭載可能なマイコンとバス接続を行い、Android側の
イベント処理... [more]
NS2010-159
pp.97-102
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
09:55
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長
矢野良樹池永和正徳永裕樹大陽日酸)・山本 淳大陽日酸イー・エム・シー)・田渕俊也大陽日酸)・内山康右大陽日酸イー・エム・シー)・山口 晃福田 靖生方映徳大陽日酸)・原田康博伴 雄三郎松本 功大陽日酸イー・エム・シー)・山崎利明大陽日酸ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127
我々は4インチ基板11枚を1バッチで処理できる大型MOVPE装置(UR25K)を開発した。GaN系デバイスの成長時間の短... [more] ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127
pp.95-98
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-11
15:20
福井 福井大学 アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 ~ MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理 ~
万行大貴小野宏之・○小林芳彦松本 功渋谷和信大陽日酸ED2007-160 CPM2007-86 LQE2007-61
 [more] ED2007-160 CPM2007-86 LQE2007-61
pp.25-28
ICD, ITE-CE
(共催)
2006-12-15
15:35
広島 (財)広島産業振興機構 広島県情報プラザ ビデオコーデック用ヘテロジニアスマルチコア TOPSTREAM™ MPEG-4のアーキテクチャ
松本祐教トプスシステムズ
 [more] ICD2006-169
pp.149-154
ICD, ITE-CE
(共催)
2006-12-15
16:00
広島 (財)広島産業振興機構 広島県情報プラザ 無線LAN用ヘテロジニアス・マルチコア TOPSTREAM™ WLANのアーキテクチャ
松本祐教トプスシステムズ
 [more] ICD2006-170
pp.155-160
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
16:10
滋賀 立命館大学 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価
池永和正生方映徳山口 晃阿久津仲男藤居勤二松本 功大陽日酸
 [more] ED2005-156 CPM2005-143 LQE2005-83
pp.81-84
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