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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 ○桑田英悟・杉本篤夫・小山英寿・加茂宣卓・幸丸竜太・山中宏治（三菱電機）  ED2016-110 MW2016-186 |
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている．この高電圧半導体にマッチした，小型な回路でインピーダ... [more] | ED2016-110 MW2016-186 pp.75-79 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 ○河村由文・半谷政毅・水谷知大・富山賢一・山中宏治（三菱電機） ED2016-111 MW2016-187 |
短ゲート長（Lg=0.15 um）GaN HEMT を用いた30W級X帯GaN電力増幅器について報告する。本電力増幅器で... [more] | ED2016-111 MW2016-187 pp.81-84 |
| OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-19 10:45 |
三重 | 伊勢市観光文化会館 | シリコンフォトニクス向け広出射角度・高出力レンズ集積型面出射レーザ ○足立光一朗・鈴木崇功・中原宏治・中西 慧・直江和彦・田中滋久（日本オクラロ） PN2016-66 EMT2016-95 OPE2016-141 LQE2016-130 EST2016-105 MWP2016-79 |
シリコンフォトニクス(SiP)プラットフォーム用のレーザ光源として1.3μm波長帯レンズ集積型面出射DFBレーザ(LIS... [more] | PN2016-66 EMT2016-95 OPE2016-141 LQE2016-130 EST2016-105 MWP2016-79 pp.139-143 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:45 |
京都 | 京大桂キャンパス | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素... [more] | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 pp.31-34 |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 14:25 |
北海道 | 函館ロワジールホテル | ［招待講演］紫外域AlGaNレーザーダイオードの進展 ○吉田治正・武富浩幸・青木優太・高木康文・杉山厚志・桑原正和・山下陽滋・大河原 悟・前田純也（浜松ホトニクス） R2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35 |
紫外レーザーダイオード(LD)のワットクラスの高出力化と発振波長326nmへの短波長化など最近の成果について報告する．ま... [more] | R2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35 pp.35-40 |
| SAT, WBS (併催) |
2016-05-20 11:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 信頼性／保守性向上を目指した衛星通信基地局用高出力送信機の検討 ○鈴木義規・須崎皓平・山中勝彦・山下史洋・小林 聖（NTT） SAT2016-9 |
離島や被災地などのディジタルディバイド領域に回線を敷設するために使用される衛星通信システムおける基地局は，数多くの回線を... [more] | SAT2016-9 pp.47-52 |
| MW | 2015-12-17 10:00 |
東京 | 東京理科大 葛飾キャンパス | ブートストラップ型ドライバ回路を用いたGaN VMCD高出力増幅器 ○中溝英之・向井謙治・新庄真太郎（三菱電機）・Peter Asbeck（カリフォルニア大サンディエゴ校） MW2015-133 |
本報告では465MHz帯で動作する高出力高効率なGaN VMCD (Voltage Mode Class D) 増幅器を... [more] | MW2015-133 pp.1-5 |
| SR | 2015-05-28 13:50 |
兵庫 | 明石市立産業交流センター | 高出力対応IEEE 802.11af無線機の試作開発および英国市街地での実証実験 ○松村 武・石津健太郎（NICT）・水谷圭一（京大）・村上 誉・児島史秀（NICT）・原田博司（京大） SR2015-3 |
テレビ放送周波数帯は，周波数範囲が広く，また優れた電波伝搬特性を有することから，ホワイトスペースとしての二次利用が広く検... [more] | SR2015-3 pp.13-18 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | X帯310W高出力GaN HEMT増幅器 ○菊池 憲・西原 信・山本 洋・水野慎也・八巻史一・山本高史（住友電工デバイス・イノベーション） ED2014-126 MW2014-190 |
GaN HEMTを用いたX帯高出力・広帯域内部整合型増幅器について報告する． X帯レーダー用増幅器の固体素子化に向けて... [more] |
ED2014-126 MW2014-190 pp.53-58 |
| ED | 2014-12-22 16:10 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 高出力テラヘルツ波パラメトリック光源を用いたパイロ検出器の感度較正法の確立に向けて ○瀧田佑馬（理研）・柴 直孝（静岡大）・野竹孝志・縄田耕二・時実 悠・林 伸一郎（理研）・廣本宣久（静岡大）・南出泰亜（理研） ED2014-104 |
テラヘルツ波光源の性能を正しく評価するためには，検出器の感度較正法が重要である．本研究では，トレーサブルな感度較正法の確... [more] | ED2014-104 pp.33-37 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 15:40 |
北海道 | 小樽経済センター | ［依頼講演］900nm帯高出力半導体レーザーバーの開発 ○影山進人・森田剛徳・鳥井康介・長倉建人・高氏基喜・前田純也・吉田治正（浜松ホトニクス） R2014-31 EMD2014-36 CPM2014-51 OPE2014-61 LQE2014-35 |
固体レーザー,ファイバーレーザーの励起用光源や直接集光型レーザー加工用光源に用いられる,900 nm帯高出力半導体レーザ... [more] | R2014-31 EMD2014-36 CPM2014-51 OPE2014-61 LQE2014-35 pp.45-49 |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-17 10:00 |
北海道 | 室蘭工業大 | 広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器 ○坂田修一・桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・小山英寿・加茂宣卓・福本 宏（三菱電機） MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 |
GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を... [more] | MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 pp.1-5 |
| PN, NS, OCS (併催) |
2014-06-26 17:10 |
大分 | ビーコンプラザ（別府） | ［フェロー記念講演］高出力・広帯域Erドープ光ファイバ増幅器の技術開発 ○大越春喜（古河電工） NS2014-40 OCS2014-19 PN2014-7 |
Erドープ光ファイバ増幅器が提案された直後の1990年代初頭からの高出力、広帯域化の技術開発について紹介する。 [more] | NS2014-40 OCS2014-19 PN2014-7 pp.5-10(NS), pp.35-40(OCS), pp.35-40(PN) |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-24 09:25 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） | ダブルクラッドYb添加ファイバーを用いたチャープパルス増幅システムの開発 ～ 高出力広帯域Thz波発生に向けて ～ ○茂木芳成（東京農工大）・浜崎淳一・関根徳彦（NICT）・芦原 聡（東京農工大）・寶迫 巌（NICT） PN2013-72 OPE2013-186 LQE2013-172 EST2013-121 MWP2013-92 |
高出力広帯域のテラヘルツ波を発生させるためには、高出力フェムト秒パルス励起が必要となる．そのため我々は高出力超短パルス増... [more] | PN2013-72 OPE2013-186 LQE2013-172 EST2013-121 MWP2013-92 pp.231-234 |
| ED | 2013-10-23 11:15 |
北海道 | 北海道大学エンレイソウ | フェーズドアレー用X帯800WパルスミニTWTの開発 ○宗廣孝継・小林潤一・吉田 満・松岡順一（ネットコムセック）・上田芳信・開沼 聡（NEC） ED2013-62 |
通信やレーダ用途において，フェーズドアレー方式のシステムが検討されている．この方式では，指向性の高い電磁波ビームを形成す... [more] | ED2013-62 pp.53-57 |
| OPE, LQE, CPM, EMD, R (共催) |
2013-08-29 16:30 |
北海道 | サンリフレ函館 | ［依頼講演］915nm半導体レーザーの高出力化における窓構造とその特性 ○吉田治正・森田剛徳・長倉建人・鳥井康介・高氏基喜・前田純也（浜松ホトニクス） R2013-42 EMD2013-48 CPM2013-67 OPE2013-71 LQE2013-41 |
IFVD (Impurity-Free Vacancy Disordering)法によって窓構造を形成した915nm高出... [more] | R2013-42 EMD2013-48 CPM2013-67 OPE2013-71 LQE2013-41 pp.71-75 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発 ○由村典宏・渡辺直樹・出口博昭・宇井範彦（住友電工デバイスイノベーション） ED2012-120 MW2012-150 |
携帯電話基地局用に2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプを開発した．本ドハティアンプは105W級の窒化ガリウム(GaN... [more] | ED2012-120 MW2012-150 pp.45-48 |
| ED | 2012-11-19 16:20 |
大阪 | 阪大中之島センター | S帯2kWパルスMPM用ミニTWTの開発 ○宗廣孝継・小林潤一・吉田 満・松岡順一（ネットコムセック）・上田芳信・開沼 聡（NEC） ED2012-59 |
広帯域，小型軽量，高出力，高効率といった特徴を優位性に持つマイクロ波増幅モジュール(MPM)は，マイクロ波を使用する各種... [more] | ED2012-59 pp.25-29 |
| MW | 2012-06-29 14:00 |
岐阜 | 岐阜大学 | C帯220W高効率GaN増幅器 ○前原宏昭・山中宏治・小坂尚輝・西原 淳・川嶋慶一・中山正敏（三菱電機） MW2012-22 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | MW2012-22 pp.19-24 |
| MW | 2012-03-01 13:45 |
佐賀 | 佐賀大学 | 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討 ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） MW2011-175 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | MW2011-175 pp.41-46 |
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