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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-22 15:25 |
北海道 | 小樽経済センター | 背面モニター用不等間隔導波路付きチューナブルレーザ ○笹畑圭史・松本啓資・柳楽 崇・佐久間 仁・岸本一誠・鈴木正人・鈴木大輔・堀口裕一郎・高林正和・望月敬太・後藤田光伸・有賀 博・石村栄太郎（三菱電機）  R2014-48 EMD2014-53 CPM2014-68 OPE2014-78 LQE2014-52 |
我々は、はじめて背面波長モニター用不等間隔導波路を集積した16 DFBレーザアレイ型チューナブルレーザを開発した。TEC... [more] | R2014-48 EMD2014-53 CPM2014-68 OPE2014-78 LQE2014-52 pp.127-131 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 1.3μm帯InGaAlAs MQW RS-BH DFBレーザによる56Gb/s直接変調の検討 ○中原宏治・若山雄貴・北谷 健・谷口隆文（日立）・深町俊彦・佐久間 康（日本オクラロ）・田中滋久（日立） OPE2014-17 LQE2014-22 |
100GbEの次世代イーサ規格として標準化が進んでいる400GbEにおける各種提案方式のうち、有望視されている50Gb/... [more] | OPE2014-17 LQE2014-22 pp.23-26 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 09:20 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 酸素分光計測用760nm分布帰還形半導体レーザの開発 ○北島秀訓・樋口 彰・藤原淳志・内藤秀幸・前田純也（浜松ホトニクス） ED2014-32 CPM2014-15 SDM2014-30 |
酸素分光計測用760nm帯分布帰還形半導体レーザ(DFBレーザ)において, 結晶構造・回折格子など素子構造の最適化により... [more] | ED2014-32 CPM2014-15 SDM2014-30 pp.69-73 |
| OPE, LQE, CPM, EMD, R (共催) |
2013-08-29 11:35 |
北海道 | サンリフレ函館 | フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作 ○金澤 慈・藤澤 剛・高畑清人・大木 明・伊賀龍三・石井啓之（NTT） R2013-34 EMD2013-40 CPM2013-59 OPE2013-63 LQE2013-33 |
低クロストーク、広帯域化に有効なフリップチップ接続を用いた4Ch-EADFBレーザアレイモジュールを作製した。また、4チ... [more] | R2013-34 EMD2013-40 CPM2013-59 OPE2013-63 LQE2013-33 pp.31-34 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 非対称周期変調型回折格子を有する1.3um帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作 ○若山雄貴・中原宏治・比留間健之・北谷 健・篠田和典（日立）・深町俊彦・佐久間 康（日本オクラロ）・田中滋久（日立） OPE2013-14 LQE2013-24 |
低消費電力100GbE光トランシーバ向け1.3 um帯直接変調DFBレーザのセミクールド(55℃)28 Gbps高マスク... [more] | OPE2013-14 LQE2013-24 pp.39-42 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発 ○金井拓也・布谷伸浩・山中孝之・伊賀龍三・下小園 真・石井啓之（NTT） OPE2013-15 LQE2013-25 |
我々は，高速高精度な波長切替の実現をめざし，モード跳び無く高速(<1 μs)に波長を変えられる波長可変分布活性(TDA-... [more] | OPE2013-15 LQE2013-25 pp.43-48 |
| OPE, LQE (共催) EMD, CPM, OME (共催) (併催) [詳細] |
2012-06-22 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別招待講演］半導体レーザ50周年に際して ○末松安晴（東工大/高柳記念財団） EMD2012-8 CPM2012-25 OME2012-32 OPE2012-14 LQE2012-18 |
半導体レーザ誕生５０周年に際して、半導体レーザのフォトニクス分野に於ける主な発展を概観し、光通信、光ディスク、光プリンタ... [more] | EMD2012-8 CPM2012-25 OME2012-32 OPE2012-14 LQE2012-18 pp.1-6(EMD), pp.1-6(CPM), pp.1-6(OME), pp.21-26(OPE), pp.21-26(LQE) |
| EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2012-01-26 15:40 |
大阪 | 大阪大学コンベンションセンター | モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用 ○布谷伸浩・石井啓之・伊賀龍三・佐藤具就・大橋弘美（NTT） PN2011-48 OPE2011-164 LQE2011-150 EST2011-98 MWP2011-66 |
高速波長切替可能かつ安定運用可能な光通信用光源の開発を目的とし、モードホップ無く波長変化する半導体レーザの開発を行った。... [more] | PN2011-48 OPE2011-164 LQE2011-150 EST2011-98 MWP2011-66 pp.99-102 |
| EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2012-01-26 16:30 |
大阪 | 大阪大学コンベンションセンター | 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作 ○橋本順一・辻 幸洋・稲田博史・三浦貴光・村田 誠・吉永弘幸・八木英樹・加藤隆志・村田道夫・勝山 造（住友電工） PN2011-50 OPE2011-166 LQE2011-152 EST2011-100 MWP2011-68 |
我々は、中赤外量子カスケードレーザ(QCL)用の活性層として、LOフォノン散乱の増大を抑制しつつ、発光遷移確率の選択的な... [more] | PN2011-50 OPE2011-166 LQE2011-152 EST2011-100 MWP2011-68 pp.109-113 |
| CPM, OPE, LQE, EMD (共催) |
2011-08-25 16:00 |
北海道 | 北海道大学 創成科学研究棟 ５階 大会議室 | <sup>13</sup>C<sub>2</sub>H<sub>2</sub>(アセチレン)周波数安定化ファイバリング外部共振器型λ/4シフトDFB LDの発振特性 ○葛西恵介・中沢正隆（東北大） EMD2011-41 CPM2011-85 OPE2011-76 LQE2011-39 |
我々はこれまでに波長1.5 um帯$lambda$/4シフトDistributed Feedback (DFB) LDに... [more] | EMD2011-41 CPM2011-85 OPE2011-76 LQE2011-39 pp.49-52 |
| CPM, OPE, LQE, EMD (共催) |
2011-08-26 13:30 |
北海道 | 北海道大学 創成科学研究棟 ５階 大会議室 | 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 ○高田 幹（東大）・田中 有（富士通研/QDレーザ）・松本 武（富士通研）・近藤勇人・持田励雄・前多泰成・山口正臣・影山健生・武政敬三・西 研一（QDレーザ）・中田義昭・山本剛之（富士通研/QDレーザ）・菅原 充（QDレーザ）・荒川泰彦（東大） EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51 |
光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical ... [more] | EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51 pp.109-112 |
| LQE | 2010-12-17 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ ○境野 剛・瀧口 透・外間洋平・佐久間 仁・綿谷 力・柳楽 崇・鈴木大輔・青柳利隆・石川高英・石村栄太郎・島 顕洋（三菱電機） LQE2010-119 |
1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFBレーザにて，p-InP基板を用いたパッシブ導波路集積型短共振器構造とすることで... [more] | LQE2010-119 pp.23-26 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2010-10-29 14:40 |
福岡 | 門司港レトロ・港ハウス | 1.3/1.55μmEADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作 ○小林 亘・都築 健・田所貴志・藤澤 剛・藤原直樹・山中孝之・狩野文良（NTT） OCS2010-81 OPE2010-117 LQE2010-90 |
小型・低コスト40Gb/s光源の実現を目的として、InGaAlAs系材料量を用いて作製した1.3μm及び1.55μm帯電... [more] | OCS2010-81 OPE2010-117 LQE2010-90 pp.149-152 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-28 18:05 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期 ○李 承勲（東工大）・Devang Parekh（カリフォルニア大）・進藤隆彦（東工大）・Weijian Yang・Peng Guo（カリフォルニア大）・高橋大佑・田島典明・西山伸彦（東工大）・Connie J. Chang-Hasnain（カリフォルニア大）・荒井滋久（東工大） PN2009-49 OPE2009-187 LQE2009-169 |
我々は活性層を細線状に加工した活性DFB領域と受動DBR領域からなる分布反射型(DR)レーザを提案・実現し、その低しきい... [more] | PN2009-49 OPE2009-187 LQE2009-169 pp.75-80 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2009-10-22 09:25 |
福岡 | 九州大学 | アクティブMMIレーザーの単一波長発振に関する検討 ○日隈康裕・浜本貴一（九大） OCS2009-42 OPE2009-108 LQE2009-67 |
高速大容量通信用の次世代半導体レーザーとして、低コスト・高光出力の半導体レーザーが期待されている。高出力型半導体レーザー... [more] | OCS2009-42 OPE2009-108 LQE2009-67 pp.7-10 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-21 10:15 |
宮城 | 東北大学 | 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール ○上杉利次・岡田規男・斎藤 健・大和屋 武・森田佳道・杉立厚志（三菱電機） EMD2009-47 CPM2009-71 OPE2009-95 LQE2009-54 |
電気インタフェースとしてフレキシブルプリント基板（FPC）を適用した小型・低コストな100Gイーサネット用25Gbps ... [more] | EMD2009-47 CPM2009-71 OPE2009-95 LQE2009-54 pp.109-112 |
| LQE, OPE (共催) |
2009-06-19 15:20 |
東京 | 機械振興会館6階66号室 | 10Gb/s,1.55um,EADFBレーザの広温度範囲(-25～100℃)SMF80km伝送 ○小林 亘・荒井昌和・山中孝之・藤原直樹・藤澤 剛・都築 健・田所貴志・狩野文良（NTT） OPE2009-25 LQE2009-28 |
低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的... [more] | OPE2009-25 LQE2009-28 pp.51-54 |
| LQE, OPE (共催) |
2009-06-19 16:20 |
東京 | 機械振興会館6階66号室 | BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3um波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ ○八木英樹・大西 裕・辻 幸洋・市川弘之・吉永弘幸・野間口俊夫・平塚健二・上坂勝己（住友電工） OPE2009-27 LQE2009-30 |
10Gbit/sを超える高速直接変調を目的として、BCB(ベンゾシクロブテン)埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3u... [more] | OPE2009-27 LQE2009-30 pp.59-62 |
| PN | 2009-03-09 15:55 |
沖縄 | 久部良（くぶら）多目的集会施設（与那国島） | ［フェロー記念講演］単一波長半導体レーザから光スイッチ、そして・・・ ～ 異分野交流の勧め ～ ○宇高勝之（早大） PN2008-92 |
筆者がこれまで取り組んできた研究テーマと、その動機、異分野交流の有意義性などを通して、今後の展望を述べる。 [more] | PN2008-92 pp.47-52 |
| LQE | 2008-12-12 11:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 1.3μm帯量子ドットDFBレーザ ～ 高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入 ～ ○天野 建・五島敬史郎・菅谷武芳・小森和弘・森 雅彦（産総研） LQE2008-132 |
本研究では高密度かつ高均一な量子ドット作製が可能になっており，これまでFPレーザの報告をしてきた。今回はこの量子ドットを... [more] | LQE2008-132 pp.23-26 |
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