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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 15:50 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング ○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大）  SDM2023-80 |
高いエネルギー効率をもつエッジAI計算への応用に向けて、強誘電体HfZrO2/Si FeFETを用いた物理リザバーコンピ... [more] | SDM2023-80 pp.24-27 |
| VLD, DC, RECONF, ICD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2023-11-15 15:05 |
熊本 | くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
強い宝くじ仮説とFeFETベースCiMのCo-design ○山内堅心・山田 歩・三澤奈央子・趙 成謹・トープラサートポン カシディット・高木信一・松井千尋・竹内 健（東大） VLD2023-40 ICD2023-48 DC2023-47 RECONF2023-43 |
強い宝くじ仮説(SLTH)は、初期化したNNは良い精度の部分ネットワークを含んでいるという仮説であり、重みを更新しなくて... [more] | VLD2023-40 ICD2023-48 DC2023-47 RECONF2023-43 pp.60-63 |
| VLD, DC, RECONF, ICD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2023-11-16 10:20 |
熊本 | くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Hyperdimensional Computing向けFeFET CiMの設計とエラー耐性 ○松井千尋・小林英太郎・三澤奈央子・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹内 健（東大） VLD2023-48 ICD2023-56 DC2023-55 RECONF2023-51 |
電圧センス型のFeFET Computation-in-Memory (CiM)を用いた，Hyperdimensiona... [more] | VLD2023-48 ICD2023-56 DC2023-55 RECONF2023-51 pp.99-100 |
| ICD | 2023-04-10 13:20 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］音声認識に向けた新方式HZO/Si FeFETリザバーコンピューティング ○名幸瑛心・トープラサートポン カシディット・中根了昌・竹中 充・高木信一（東大） ICD2023-4 |
我々はHZO/Si強誘電体ゲートFET(FeFET)を用いたリザバーコンピューティング(RC)を検証してきた．FeFET... [more] | ICD2023-4 p.9 |
| SDM | 2022-01-31 14:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明 ○市原玲華（キオクシア） SDM2021-70 |
HfO2-FeFETで生じる様々な種類のチャージトラップのサイクル過程における挙動を、高速電流計測に基づく荷電中心解析に... [more] | SDM2021-70 pp.9-11 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ハフニウム系強誘電体薄膜を用いた1T1R型アレイを使ったアナログインメモリコンピューティング ～ VLSI2021報告内容 ～ ○齋藤大輔・小林俊之・古賀洋貴（ソニー）・周藤悠介・奥野 潤・小西健太（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・塚本雅則・大栗一敦（ソニー）・梅林 拓（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・江崎孝之（ソニー） SDM2021-36 ICD2021-7 |
エッジデバイスにおけるディープニューラルネットワーク（DNN）を用いた認識実現のためには、低電力動作が求められている。こ... [more] | SDM2021-36 ICD2021-7 pp.33-37 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 10:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ソースフォロワ読み出しおよびチャージシェアリングにより積和演算を行う電圧センス型FeFET CiM ○松井千尋・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹内 健（東大） SDM2021-37 ICD2021-8 |
エネルギー効率が高く，高スループットでノイズに強いHZO FeFET Computation-in-Memory（CiM... [more] | SDM2021-37 ICD2021-8 pp.38-41 |
| SDM | 2021-01-28 13:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］自発分極とトラップ電荷の分離抽出に基づく強誘電HfO2-FeFETにおけるVthウインドウ及び信頼性決定要因の解析 ○市原玲華（キオクシア） SDM2020-49 |
HfO2-FeFETでは，自発分極の反転に加え，その効果を相殺する極性の電荷トラップがHfO2/SiO2界面近傍に生じる... [more] | SDM2020-49 pp.1-2 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 14:40 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | 強誘電体トランジスタを用いた並列積和演算可能なニューロモルフィック集積回路 ○上村公紀・能美 奨・竹内 健（中大） ICD2019-31 IE2019-37 |
近年、半導体の性能向上を支えてきたムーアの法則が限界を迎えつつある。そのため、従来のノイマン型コンピューティングからニュ... [more] | ICD2019-31 IE2019-37 pp.13-17 |
| SDM | 2019-10-23 15:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application ○Min Gee Kim・Masakazu Kataoka・Masaki Hayashi・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2019-56 |
[more] | SDM2019-56 pp.17-20 |
| SDM | 2019-01-29 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発 ○山口 直・張 田田・大森和幸・島田康弘・国宗依信・井手 隆・井上真雄・松浦正純（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-86 |
Hf0.5Zr0.5O2(HZO)膜を不揮発性メモリ材料とした強誘電体メモリの開発成果を報告する. 本研究では, 10n... [more] | SDM2018-86 pp.21-26 |
| OME, SDM (共催) |
2017-04-20 16:45 |
鹿児島 | 龍郷町生涯学習センター | 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討 ○大見俊一郎・廣木瑞葉・張 鴻立・前田康貴（東工大） SDM2017-4 OME2017-4 |
有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示し、将来のフレキシブルエレクト... [more] | SDM2017-4 OME2017-4 pp.15-18 |
| SDM | 2017-01-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation ○Xu Lun・Shibayama Shigehisa・Izukashi Kazutaka・Nishimura Tomonori・Yajima Takeaki（Univ. of Tokyo）・Migita Shinji（AIST）・Toriumi Akira（Univ. of Tokyo） SDM2016-137 |
[more] | SDM2016-137 pp.29-32 |
| ICD (ワークショップ) |
2010-08-16 - 2010-08-18 |
海外 | ホーチミン市百科大学 | ［招待講演］Recent FeFET technological progress for FeCMOS logic and FeNAND flash memory applications ○Shigeki Sakai・Mitsue Takahashi（AIST） |
Ferroelectric-gate field-effect transistors (FeFETs) and the... [more] | |
| ICD | 2010-04-22 11:40 |
神奈川 | 湘南工大 | しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM ○田中丸周平・畑中輝義・矢島亮児（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） ICD2010-5 |
強誘電体トランジスタを使用した0.5V動作の6T-SRAMが提案され，実験的に実証された．提案のSRAMはNMOSの基板... [more] | ICD2010-5 pp.23-28 |
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