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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME, IEE-DEI
(連催)
2021-03-02
11:05
ONLINE オンライン開催 高い注入障壁を有するNPD/mCP界面をもつ積層薄膜のキャリア輸送特性
佐藤 涼清家善之森 竜雄愛知工大OME2020-28
正孔側輸送材料としてα-NPDとmCPを用いて、外部量子効率が10%を超えるTADF有機ELを作製した報告がある。α-N... [more] OME2020-28
pp.35-38
OME, IEE-DEI
(連催)
2017-07-28
13:00
富山 富山大学 [招待講演]有機EL素子における正孔注入材料・輸送材料の開発指針と現状
森 竜雄愛知工大OME2017-17
有機EL素子では有機薄膜の多層構造を利用して効率よくキャリア注入・輸送を実現してキャリア再結合ができる。キャリア注入を促... [more] OME2017-17
pp.1-6
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
09:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ペロブスカイト/微結晶Siタンデム型太陽電池におけるリコンビネーション層の開発
張 松石河泰明來福 至ティフェン ブルジェト浦岡行治奈良先端大)・エリック ジョンソンマーティン フォロディナイヴァン ボンナシュペール ロカ イ カバロカスエコール・ポリテクニークEID2016-9 SDM2016-90
近年、太陽電池の更なる高効率化に向けてタンデム型太陽電池の研究が進んでいる。二種類の太陽電池間におけるリコンビネーション... [more] EID2016-9 SDM2016-90
pp.1-6
OME 2015-05-29
14:45
東京 機械振興会館 デバイスシミュレータを利用した正孔注入層/ナフチル置換ジアミン誘導体の電導解析
坂井田雅人光崎茂松古橋秀夫森 竜雄愛知工大OME2015-21
本研究の目的は,有機EL素子において正孔輸送材料として使用されるNPD(ナフチル置換トリフェニルジアミン誘導体)と,正孔... [more] OME2015-21
pp.15-19
OME 2013-05-16
13:30
東京 機械振興会館 B3F-2 反応性SAMを用いたITO/高分子薄膜界面の制御
金 性湖大塚華恵田中邦明東京農工大)・R. C. アドビンクラケースウェスタン)・○臼井博明東京農工大OME2013-23
有機電子デバイスでは,無機電極と有機薄膜界面の特性を制御することが重要な課題の一つとなる.そこで末端に反応性官能基として... [more] OME2013-23
pp.1-5
OME 2012-12-05
16:45
沖縄 沖縄県青年会館 陰極バッファー材料としてMoO3を用いる有機薄膜太陽電池の作製と評価
宮城英介・○景山 弘琉球大)・大森 裕阪大)・城田靖彦福井工大OME2012-82
高い正孔移動度を有するアモルファス分子材料、tris[4-(5-phenylthiophen-2-yl)phenyl]a... [more] OME2012-82
pp.33-35
SDM, OME
(共催)
2012-04-27
14:00
沖縄 沖縄県青年会館 高移動度を有する正孔輸送性アモルファス分子材料を用いる有機薄膜太陽電池の作製と評価
景山 弘琉球大)・大森 裕阪大)・城田靖彦福井工大SDM2012-3 OME2012-3
高い正孔移動度を有する新規アモルファス分子材料、tris[4-(2-thienyl)phenyl]amineおよびtri... [more] SDM2012-3 OME2012-3
pp.9-13
OME, OPE
(共催)
2010-11-12
13:50
東京 機械振興会館地下3階2号室 TPD蒸着膜の熱重合による正孔輸送層の形成
室山雅和市田杏子田尻亜弥子加藤大智田中邦明乙木栄志・○臼井博明東京農工大OME2010-56 OPE2010-126
テトラフェニルジアミノビフェニルのジビニル誘導体DvTPDを蒸着し,引き続き加熱することによって重合膜を形成した.200... [more] OME2010-56 OPE2010-126
pp.7-12
OME 2010-01-20
14:40
愛知 名城大学 ナフチル置換ジアミン誘導体(NPD)の異性体を正孔輸送層に利用した有機EL素子の特性
池野文宣森 竜雄名大
有機ELの正孔輸送層として一般的に用いられているナフチル置換ジアミン誘導体α-NPDは、蒸着後に多結晶化しやすく、膜構造... [more]
MW, ED
(共催)
2009-01-15
13:50
東京 機械振興会館 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮
上澤岳史山田真之宮本恭幸古屋一仁東工大ED2008-212 MW2008-177
あらまし InP/InGaAs HBTの超薄層高濃度ベース下におけるベース走行時間の解析を行った。20nm以下の様に超... [more] ED2008-212 MW2008-177
pp.83-88
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