| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2013-08-02 10:55 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx膜のバリヤ特性 ○佐藤 勝・武山真弓（北見工大）・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大）  CPM2013-51 |
高性能な3次元LSIを実現するためには、シリコン貫通ビア配線(TSV)が重要な要素技術となる。我々は、TSVに適用できる... [more] | CPM2013-51 pp.63-68 |
| ED | 2012-11-20 09:55 |
大阪 | 阪大中之島センター | nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果 ○嶋脇秀隆（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） ED2012-61 |
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に光... [more] | ED2012-61 pp.37-40 |
| ED | 2011-10-21 09:00 |
青森 | 八戸ポータルミュージアム はっち | nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射 ○嶋脇秀隆・山崎勇人（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） ED2011-66 |
He-Neレーザ（出力1 mW、波長633 nm）をp-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に照射し、放射電流特性、... [more] | ED2011-66 pp.33-36 |
| ED | 2008-08-04 14:15 |
静岡 | 静岡大学浜松キャンパス | シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性 ○嶋脇秀隆・木田 庸（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・村上勝久・若家富士夫・高井幹夫（阪大） ED2008-112 |
極薄酸化膜で被覆されたナノ結晶シリコン（nc-Si）からなる面放射型冷陰極を製作し、電子放射特性および放射電子のエネルギ... [more] | ED2008-112 pp.15-20 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 10:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成 ○吉本千秋・大参宏昌・志村考功・垣内弘章・渡部平司・安武 潔（阪大） SDM2008-18 OME2008-18 |
現在、薄膜トランジスタに代表される大面積電子デバイスの高性能化には、大粒径多結晶Si薄膜の形成が必要とされている。我々は... [more] | SDM2008-18 OME2008-18 pp.89-94 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]