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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2020-01-28 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］重アンモニアを用いた高信頼性メモリセル絶縁膜の形成 ○野口将希・磯貝達典・山下博幸・澤 敬一・藤塚良太・山中孝紀・岡田俊祐・青山知憲・相宗史記・阿部淳子・小川義宏・中川聖士・宮島秀史（キオクシア）  SDM2019-82 |
信頼性の高い不揮発性メモリを実現するために、メモリセル絶縁膜の電荷保持特性の向上が望まれている。セル絶縁膜の一部であるト... [more] | SDM2019-82 pp.1-4 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響 ○後藤正和・辰村光介・川中 繁・中嶋一明・市原玲華・吉水康人・小野田裕之・長友浩二・佐々木俊行・福島 崇・野町映子・犬宮誠治・青山知憲・小山正人・豊島義明（東芝） SDM2008-147 ICD2008-57 |
ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性へ... [more] | SDM2008-147 ICD2008-57 pp.109-114 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 10:15 |
北海道 | 北海道大学 | 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果 ○岡山康則・齋藤友博・大石 周・中嶋一明・松尾浩司・谷口修一・小野高稔・中山和宏・渡辺竜太・英保亜弓・菰田泰生・木村泰己・濱口雅史・竹川陽一・青山知憲（東芝） |
[more] | SDM2006-145 ICD2006-99 pp.115-120 |
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