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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2010-12-17 10:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス ○酒井啓之・黒田正行・根来 昇・村田智洋・永井秀一・西嶋将明・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック）  ED2010-167 |
準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を... [more] | ED2010-167 pp.53-58 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET ○黒田正行・村田智洋・中澤敏志・瀧澤俊幸・西嶋将明・柳原 学・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2008-220 MW2008-185 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN... [more] | ED2008-220 MW2008-185 pp.125-128 |
| MW | 2008-08-28 14:20 |
大阪 | 大阪大学（豊中） | サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC ○村田智洋・黒田正行（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・西嶋将明・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・酒井啓之・田中 毅（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.） MW2008-85 |
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more] | MW2008-85 pp.37-40 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:20 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire ○Tomohiro Murata・Masayuki Kuroda（Matsushita Electric Industrial）・Shuichi Nagai（Panasonic Boston Lab.）・Masaaki Nishijima・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Hiroyuki Sakai・Tsuyoshi Tanaka（Matsushita Electric Industrial）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.） ED2008-103 SDM2008-122 |
We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire... [more] | ED2008-103 SDM2008-122 pp.331-335 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 09:25 |
福井 | 福井大学 | 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ ○黒田正行・上田哲三・田中 毅（松下電器） ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、低損失パワースイッチングデバイスへの応用として有望で... [more] | ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 pp.53-56 |
| SR | 2006-07-27 14:00 |
神奈川 | YRP | ［技術展示］コグニティブワイヤレスシステムの実現に向けた研究開発 ○原田博司・石津健太郎・長谷川幹雄・飯草恭一・船田龍平・辻 宏之・黒田正博（NICT） SR2006-31 |
[more] | SR2006-31 pp.119-126 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNへテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作 ○黒田正行・石田秀俊・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有し、低オン抵抗と高耐圧を必要とする将来のパワーデバイスに向け非... [more] | ED2005-205 MW2005-159 pp.35-39 |
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