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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMT, IEE-EMT
(連催)
2022-11-17
10:25
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
東京都立大学ローカル5Gシステムにおける電磁環境および人体ばく露の評価に関する予備検討
土屋修人鈴木敬久都立大EMT2022-45
5G無線通信システムの設置環境において,ミリ波帯の人体ばく露を推定するための手法についての報告例はほとんどない.本研究で... [more] EMT2022-45
pp.6-11
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
13:45
東京 機械振興会館 相変化メモリのリセット特性のモデリング
酒井 敦園田賢一郎茂庭昌弘石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-55 SDM2007-199
本研究では,3次元の電気・熱伝導を考慮した相変化メモリのコンパクトモデルを開発し,リセット動作の解析を行った.
このモ... [more]
VLD2007-55 SDM2007-199
pp.23-26
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:00
東京 機械振興会館 <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響
高篠裕行岡垣 健内田哲也林 岳谷沢元昭佃 栄次永久克己若原祥史石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-57 SDM2007-201
電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提
案。曲げ実験から65nmノードのストレス... [more]
VLD2007-57 SDM2007-201
pp.33-36
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:50
東京 機械振興会館 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証
佃 栄次ルネサステクノロジ)・鎌倉良成阪大)・高篠裕行岡垣 健内田哲也林 岳谷沢元昭永久克己若原祥史石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジ)・谷口研二阪大VLD2007-59 SDM2007-203
本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算から... [more] VLD2007-59 SDM2007-203
pp.43-46
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
10:50
東京 機械振興会館 ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について
永久克己岡垣 健谷沢元昭石川清志土屋 修ルネサステクノロジ
コンパクトモデルパラメータ抽出を含む新しいワーストモデル生成手法を提案する。本手法によれば、開発早期段階においてコンカレ... [more] VLD2006-41 SDM2006-162
pp.13-18
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
11:15
東京 機械振興会館 ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング
園田賢一郎石川清志栄森貴尚土屋 修ルネサステクノロジ
離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による MOSFET のしきい値電圧変動量に与える影響を議論... [more] VLD2006-42 SDM2006-163
pp.19-24
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
15:25
北海道 北海道大学 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響
倉田英明大津賀一雄小田部 晃梶山新也長部太郎笹子佳孝日立)・鳴海俊一冨上健司蒲原史朗土屋 修ルネサステクノロジ
フラッシュメモリにおいて、ランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による閾値変動を初めて確認した。 90nmプロセス... [more] SDM2006-153 ICD2006-107
pp.161-166
ICD 2005-04-14
16:15
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
倉田英明笹子佳孝大津賀一雄有金 剛河村哲史小林 孝久米 均日立)・本間和樹小堺健司野田敏史伊藤輝彦清水雅裕池田良広土屋 修古沢和則ルネサステクノロジ
多値高速書込みを実現する4ギガビットAG-AND型フラッシュメモリを90nmプロセスを用いて開発した。反転層をビット線と... [more] ICD2005-11
pp.53-58
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