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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SIS | 2017-12-14 15:20 |
鳥取 | 鳥取県立生涯学習センター（県民ふれあい会館） | 生体情報を用いた疲労の計測 ○福永 匠・藤原直樹・岸田 悟（鳥取大）  SIS2017-42 |
本研究では，概日リズムの観点からフリッカー値と心拍数を用いて疲労を計測した．これらの結果，フリッカー値と心拍数は，睡眠か... [more] | SIS2017-42 pp.51-55 |
| SIS | 2017-12-15 10:00 |
鳥取 | 鳥取県立生涯学習センター（県民ふれあい会館） | 順投影法を用いた心筋SPECT画像における高集積体除去 ○三塚 丈・澤 和宏・岸田 悟（鳥取大） SIS2017-48 |
99mTc心筋SPECT(Single Photon Emission Computed Tomography) 画像に... [more] | SIS2017-48 pp.85-87 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 13:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討 ○森山拓洋・肥田聡太（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2016-18 SDM2016-99 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 金属酸化物(MO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である. 薄膜... [more] | EID2016-18 SDM2016-99 pp.41-44 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 13:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Pt/Nb:STO接合におけるメモリ特性とショットキーパラメータの関係 ○塩見俊樹・萩原祐仁・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） |
[more] | |
| MBE, NC (併催) |
2016-03-23 10:25 |
東京 | 玉川大学 | ハードカーネルで再構成されたCT画像のMTF測定 ○三塚 丈・澤 和宏・竹花慶紀・田中章浩・木下健太郎・岸田 悟（鳥取大） NC2015-80 |
ハードカーネルで再構成された画像のMTF(Modulation Transfer Function)測定法を確立するため... [more] | NC2015-80 pp.59-63 |
| MBE, NC (併催) |
2016-03-23 11:15 |
東京 | 玉川大学 | フリッカー値を用いた中枢性疲労の測定 ○福永 匠・藤原直樹・井上涼太・田中章浩・木下健太郎・岸田 悟（鳥取大） NC2015-101 |
本研究で提案する疲労測定システムは，疲労生成部，データ収集部，データ処理部，評価部の4つのユニットで構成される．フリッカ... [more] | NC2015-101 pp.185-188 |
| CAS, CS (共催) |
2015-02-27 13:30 |
鳥取 | 鳥取大学 | CT画像システムにおける評価法に関する基礎研究 ○竹花慶紀・大本真護（鳥取大）・澤 和弘・上山忠政（鳥取中央病院）・岸田 悟（鳥取大） CAS2014-137 CS2014-109 |
近年CT診断に非線形挙動を示すIR法が用いられている．従来からのフィルタの評価方法は連続的な関数にのみ適用可能な評価方法... [more] | CAS2014-137 CS2014-109 pp.95-100 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:15 |
京都 | 京都大学 | 二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討 ○小石遼介・森山拓洋・木村康平・河野公紀・宮下英俊・李 相錫・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-37 SDM2014-132 |
抵抗変化型メモリ (ReRAM)の抵抗スイッチング現象は酸素欠損(Vo)で構成される導電性フィラメントの生成/断裂によっ... [more] | EID2014-37 SDM2014-132 pp.125-128 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:45 |
京都 | 京都大学 | 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ～ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ～ ○森山拓洋（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-39 SDM2014-134 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] | EID2014-39 SDM2014-134 pp.135-138 |
| NC, MBE (併催) |
2014-03-17 10:40 |
東京 | 玉川大学 | 疲労に対する音声信号とフリッカー値の相関関係 ○井上涼太・岸 啓・岸田 悟（鳥取大） NC2013-116 |
クレぺリン試験法で生成された疲労が，音声信号に及ぼす効果を話者認証ニューラルネットワークシステムを用いて調べた．これらの... [more] | NC2013-116 pp.163-166 |
| NC, MBE (併催) |
2014-03-17 11:00 |
東京 | 玉川大学 | 音声信号と血液中のアルコール濃度の相関関係 ○川野正幸・藤原直樹・岸田 悟（鳥取大） NC2013-117 |
話者認証ニューラルネットワークシステムを用いて，音声信号と血液中のアルコール濃度の相関関係を調査した．これらの結果から，... [more] | NC2013-117 pp.167-170 |
| SDM | 2013-12-13 14:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Cu/HfO2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響 ○長谷川 祥・榎本雄太郎・片田直伸・伊藤敏幸・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） SDM2013-129 |
導電性ブリッジ型Random Access Memory (CB-RAM)のメモリ層である酸化物多結晶薄膜をナノ多孔質体... [more] | SDM2013-129 pp.79-83 |
| SDM | 2013-12-13 15:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memory (CB-RAM)における金属拡散機構の解明 ○由良 翔（鳥取大）・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・中田謙吾・石井 晃（鳥取大）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大/TEDREC） |
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| SDM | 2013-12-13 16:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 遷移金属酸化物抵抗変化メモリのデータリテンション特性 ○吉原幹貴・緒方涼介・村山直寛（鳥取大）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大/TEDREC） |
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| SIS | 2013-12-12 13:50 |
鳥取 | とりぎん文化会館(鳥取) | 音声信号と血液中のアルコール濃度の相関関係 ○川野正幸・藤原直樹・吉村宏紀・岸田 悟（鳥取大） SIS2013-37 |
ニューラルネットワークを用いた本人認証システムを利用して，音声信号と血液中のアルコール濃度の相関関係を明らかにした．これ... [more] | SIS2013-37 pp.59-62 |
| SIS | 2013-12-12 14:10 |
鳥取 | とりぎん文化会館(鳥取) | クレペリン試験法による疲労が音声信号に及ぼす効果 ○岸 啓・吉村宏紀・岸田 悟（鳥取大） SIS2013-38 |
[more] | SIS2013-38 pp.63-66 |
| SIS | 2013-12-12 15:00 |
鳥取 | とりぎん文化会館(鳥取) | ノイズを含む入力パターンがアンサンブル学習を持つニューラルネットワークシステムの汎化能力に与える影響 ○田中章浩・岸田 悟（鳥取大） SIS2013-40 |
ノイズを含む入力パターンを作成し，それらを用いてアンサンブル学習によるニューラルネットワークの汎化能力を調査した。これら... [more] | SIS2013-40 pp.71-74 |
| SDM | 2012-12-07 16:15 |
京都 | 京都大学(桂) | HfO2-Conducting-Bridge memoryにおけるリセットパラメータの相関関係 ○鶴田茂之・木下健太郎・長谷川 祥・榎本優太郎・岸田 悟（鳥取大） SDM2012-135 |
新規の不揮発性メモリやスイッチング素子として期待されるConducting Bridge memory (CB-RAM)... [more] | SDM2012-135 pp.119-122 |
| SDM | 2012-12-07 16:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性 ○高 相圭・木下健太郎・福原貴博・澤居優圭・岸田 悟（鳥取大） SDM2012-136 |
抵抗変化型メモリ(ReRAM)実用化の観点から微細セルのメモリ特性を明らかにすることが重要である. しかし, 実際にRe... [more] | SDM2012-136 pp.123-127 |
| ICD | 2011-04-19 15:00 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | HfO2-CB-RAMの基本メモリ特性 ○鶴田茂之・木下健太郎・中林竜也・岸田 悟（鳥取大） ICD2011-17 |
新規の不揮発性メモリやスイッチング素子として期待されるCB-RAM (Conducting Bridge Random ... [more] | ICD2011-17 pp.93-97 |
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