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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2024-10-24
10:40
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F (宮城県) Inhibitorを用いたメタル配線構造への絶縁膜選択成長
池 進一河野有美子東雲秀司柏木勇作東京エレクトロンテクノロジーソリューションズSDM2024-43
半導体デバイススケーリングに伴い、パターニング工程の複雑化や工程数増加が問題となっている。リソグラフィーとエッチングを繰... [more] SDM2024-43
pp.1-4
SDM 2023-06-26
11:30
広島 広島大学 ナノデバイス研究所 (広島県) 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価
奥平 諒関西学院大)・川那子高暢東工大)・細井卓治関西学院大SDM2023-29
オクタデシルホスホン酸(ODPA: octadecylphosphonic acid)の自己組織化単分子膜(SAM: s... [more] SDM2023-29
pp.7-10
OME 2018-02-22
13:50
東京 東京農工大学 講義棟L0014 (東京都) 開始剤SAMを用いた表面開始蒸着重合による有機/無機界面の結合形成
齋藤隆喜田中邦明臼井博明東京農工大OME2017-58
Thiol-ene反応を利用し,有機半導体/無機基板界面に共有結合を形成することを試みた.(3-mercaptoprop... [more] OME2017-58
pp.5-9
SDM 2016-06-29
16:20
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 (東京都) [依頼講演]自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製
川那子高暢小田俊理東工大SDM2016-45
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETsについて報告する。ゲート絶縁膜は酸素プラズマによって... [more] SDM2016-45
pp.69-74
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