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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SCE | 2017-08-09 14:35 |
愛知 | 名古屋大学(東山キャンパス) | 単一磁束量子ゲートレベルパイプラインマイクロプロセッサに向けた要素回路設計 ○畑中湧貴・松井裕一・田中雅光・佐野京佑・藤巻 朗（名大）・石田浩貴・小野貴継・井上弘士（九大）  SCE2017-17 |
我々は CMOS マイクロプロセッサの性能を凌駕することを最終目的とし、高スループットな単一磁束 量子（RSFQ）マイク... [more] | SCE2017-17 pp.37-42 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 11:00 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 ○山﨑はるか・石河泰明・藤井茉美・ジョアン パウロ ベルムンド（奈良先端大）・高橋英治・安東靖典（日新電機）・浦岡行治（奈良先端大） R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 |
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] | R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 pp.9-11 |
| SCE | 2014-07-23 09:45 |
東京 | 機械振興会館 | SFQ論理ゲートにおける電流比較部の最適化によるビットエラーレートの改善 ○朝倉剣太・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） SCE2014-24 |
2つのJosephson接合で構成されている単一磁束量子 (SFQ) 回路の電流比較部は、SFQ 回路の中で最も重要な役... [more] | SCE2014-24 pp.1-6 |
| SCE | 2013-07-22 09:50 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | SFQ論理ゲートにおける信号伝搬時間のバイアス依存性を考慮した最適化 ○大坪樹生・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） SCE2013-10 |
単一磁束量子 (SFQ)回路は半導体回路と比べて高速動作可能で、超低消費電力な回路である。しかし、周波数の上昇に伴って発... [more] | SCE2013-10 pp.1-4 |
| SCE | 2009-10-20 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 動的に再構成可能な単一磁束量子論理ゲートの検討 ○山梨裕希・大河一郎・吉川信行（横浜国大） SCE2009-20 |
信号入力により動的に機能を変えることができる、超伝導単一磁束量子論理ゲートについて検討した。単一磁束量子回路はその高感度... [more] | SCE2009-20 pp.19-23 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-17 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | 速度飽和特性を利用したVddゲートバイアスRF-CMOS増幅回路 ○石原 昇（群馬大） |
MOS FETでは、ゲート電圧とドレイン電圧が高い場合にチャネルを走行するキャリアの速度が飽和し、FETの相互コンダクタ... [more] | ED2006-201 MW2006-154 pp.7-12 |
| NLP, CAS (共催) |
2006-10-04 13:30 |
大阪 | 大阪府立大学中百舌鳥キャンパス | 高耐圧SiC-JFETの交流特性測定 ～ 高電圧バイアスおよびゲート電圧印加を可能とする測定回路 ～ ○松崎俊太郎・舟木 剛・引原隆士（京大） |
著者らは, SiCパワーデバイスの持つ高耐圧, 高速動作可能という特長を活かした電力変換回路の設計, 評価に計算機シミュ... [more] | CAS2006-24 NLP2006-47 pp.19-24 |
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