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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-11-11 10:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］シリコンIGBTの新展開 ～ スケーリングIGBTと両面ゲートIGBT ～ ○平本俊郎・更屋拓哉（東大）  SDM2021-53 |
パワーエレクトロニクス分野では，シリコンIGBT (insulated gate bipolar transistors... [more] | SDM2021-53 pp.1-6 |
| EE, IEE-HCA (連催) |
2021-05-27 09:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ディープラーニングによるダブルパルステスト評価画像解析を用いたパワーデバイスの特性評価方法の基礎検討 ○松本光介・石塚洋一（長崎大）・重井徳貴（鹿児島大）・古賀誉大（アンシス） EE2021-1 |
パワーエレクトロニクス分野における開発テーマの多様化とともに，製造過程における手戻りが問題となっている．製品の開発競争力... [more] | EE2021-1 pp.1-6 |
| EE, OME, CPM (共催) |
2019-11-26 09:20 |
東京 | 機械振興会館 地下3階1号室 | IGBT駆動用可変電圧源に関する基礎的考察 ○浦 千人・石塚洋一（長崎大） EE2019-36 CPM2019-78 OME2019-22 |
高電力・高電圧変換器は，産業や自動車用途などで幅広く使用されており，内部のスイッチングデバイスとしては，絶縁ゲートバイポ... [more] | EE2019-36 CPM2019-78 OME2019-22 pp.1-6 |
| SDM | 2019-11-08 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション ○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大） SDM2019-77 |
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の３次元TCADシ... [more] | SDM2019-77 pp.45-48 |
| SDM | 2019-11-08 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］6.5kV IGBTにおける飽和電流とテール電流のTCADキャリブレーションの方法と考察 ○諏訪剛史・早瀬茂昭（東芝デバイス&ストレージ） SDM2019-78 |
IGBTのTCADキャリブレーションにおいて、特に飽和電流とターンオフ時のテール電流を同時に合わせ込む必要がある場合に何... [more] | SDM2019-78 pp.49-54 |
| SDM | 2019-01-29 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 ○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子・齋藤 渉（東芝）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大）・平本俊郎（東大） SDM2018-90 |
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] | SDM2018-90 pp.39-44 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 10:45 |
京都 | 京都大学 | 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ～ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ～ ○小澤愼二・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・日高淳輝・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-12 SDM2017-73 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である．高濃度Alドープ4H... [more] | EID2017-12 SDM2017-73 pp.5-8 |
| SDM | 2013-10-17 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］SiCパワーデバイスの開発動向 ○四戸 孝（東芝） SDM2013-88 |
SiCパワーデバイスの研究開発は、市場規模の大きなハイブリッド自動車のモータドライブや太陽光発電のパワーコンディショナー... [more] | SDM2013-88 pp.1-4 |
| SDM | 2011-11-11 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題 ○石間伏 寿・植田賢志・長尾 勝・濱田公守（トヨタ自動車） SDM2011-124 |
近年の自動車には地球環境への対応が求められている。その一つの取組みとして我々は多くのハイ ブリッド車を市場導入している... [more] |
SDM2011-124 pp.51-55 |
| SDM | 2009-11-12 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT" ○三宅正尭・舛岡弘基・ウヴェ フェルドマン・三浦道子（広島大） SDM2009-139 |
高耐圧デバイスIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を用いた数百ボルトから数千ボルトクラスの電力変換回路の設計に... [more] | SDM2009-139 pp.23-27 |
| EE | 2008-07-25 13:00 |
北海道 | 釧路市生涯学習センター | ［特別講演］パワーデバイス開発動向 ○四戸 孝（東芝） EE2008-28 |
インバータ家電からハイブリッド自動車、新幹線など多くのパワーエレクトロニクス応用機器に使われ、社会インフラを支える省エネ... [more] | EE2008-28 pp.95-100 |
| EE | 2006-11-10 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］HEV用およびFCEV用高効率高周波チョッパ回路の動向 ○弦田幸憲・河村篤男（横浜国大） EE2006-29 |
本論文は，次世代のクリーン自動車駆動用として，大電力の電流連続モードで動作する小型軽量，高効率チョッパ回路を提案し，シミ... [more] | EE2006-29 pp.1-6 |
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