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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2023-12-07
16:05
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) 運動量と放出方向を一致させたプラズモニック結晶ホトカソード
岸本透弥根尾陽一郎文 宗鉱静岡大ED2023-44
従来の金属ホトカソードの低い量子効率向上のためATR結合を用いた表面プラズモン共鳴ホトカソードの開発が取り組まれた。その... [more] ED2023-44
pp.23-26
ED 2022-12-09
11:40
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 転写モールド法により形成したプラズモニック結晶ホトカソードの作製
岸本透弥根尾陽一朗文 宗鉉静岡大ED2022-63
従来の金属ホトカソードの低い量子効率向上のためATR結合を用いた表面プラズモン共鳴ホトカソードの開発が取り組まれた。その... [more] ED2022-63
pp.41-43
ED 2017-10-27
11:40
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 高速パルス形成の為のSb-Cs光電面に関する研究
吉武 亮高橋隼斗根尾陽一郎三村秀典静岡大ED2017-48
近年テラヘルツ波のさまざまな発生機構の提案・開発が進められている.テラヘルツ波は,データ通信技術やセキュリティなどさまざ... [more] ED2017-48
pp.51-53
ED 2016-10-25
16:10
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) NEA-GaAsホトカソードからのパルスビーム診断
吉武 亮光野圭悟増澤智昭畑中義式細田 誠根尾陽一郎三村秀典静岡大ED2016-49
100GHzより高い周波数帯の電磁波はサブミリ波帯と呼ばれる.高出力のサブミリ波はデータ通信技術やセキュリティなどさまざ... [more] ED2016-49
pp.27-30
ED 2015-10-23
11:00
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) GaAsフォトカソードの表面活性過程と分光感度特性
増澤智昭光野圭悟畑中義式根尾陽一郎三村秀典静岡大ED2015-65
テラヘルツ光源等の応用のために、大電流・高速動作が可能な電子源の開発が期待されている.本研究では,大電流・高速電子源の候... [more] ED2015-65
pp.57-59
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
15:50
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率
前川拓也本田善央天野 浩西谷智博名大ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108
我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p... [more] ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108
pp.43-46
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
13:15
愛知 名古屋工業大学 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係
前多悠也金 秀光谷奥雅俊渕 真悟宇治原 徹竹田美和山本尚人真野篤志中川靖英山本将博奥見正治中西 彊名大)・坂 貴大同工大)・堀中博道阪府大)・加藤俊宏大同特殊鋼ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36
我々はこれまでにGaAs/GaAsP歪み超格子半導体フォトカソードにより、高輝度・高偏極度スピン偏極電子源の実現に成功し... [more] ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36
pp.75-80
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