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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2022-12-08
14:20
愛媛 愛媛大学 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
3次元磁気メモリの実現に向けたCoPtの電解めっき膜
黄 童雙高村陽太東工大)・齋藤美紀子エムディー マフムドゥル ハサン荒木大輝本間敬之早大)・葛西伸哉物質・材料研究機構)・山田啓介岐阜大)・園部義明早大)・小野輝男京大)・中川茂樹東工大MRIS2022-20
CoPt alloy is the appropriate material for the stacking laye... [more] MRIS2022-20
pp.11-16
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2022-07-29
11:00
山口 海峡メッセ下関
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
メモリネットワークにおけるコヒーレンスディレクトリの配置に関する検討
亀山祐己丹羽直也藤木大地慶大)・鯉渕道紘NII)・天野英晴慶大CPSY2022-14 DC2022-14
Memory Cube(MC) は、DRAM チップを三次元積層し、最下層にロジック層を配置して管理するメモリモジュール... [more] CPSY2022-14 DC2022-14
pp.77-82
IA, SITE
(共催)
IPSJ-IOT
(連催) [詳細]
2020-03-03
09:40
ONLINE オンライン開催 HBM をバッファとするパケットスケジューラの FPGA 設計と実装
小林克志東大SITE2019-94 IA2019-72
インターネットルータのパケットスケジューラが必要とするバッファ容量は DRAM 以外に実現できないが, 既存の DRAM... [more] SITE2019-94 IA2019-72
pp.87-92
VLD 2014-03-05
11:15
沖縄 沖縄県青年会館 多段積層メモリチップ間誘導結合インタフェース
齊藤美都子黒田忠広慶大VLD2013-159
大容量、小型、低消費電力SSDが求められている。大容量かつ小型SSDを実現するために、積層メモリチップ数を増加することが... [more] VLD2013-159
pp.137-140
SDM 2011-11-10
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治峯邑浩行安齋由美子田井光春黒土健三森田精一高橋俊和高濱 高森本忠雄峰 利之島 明生小林 孝日立SDM2011-117
ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造により、... [more] SDM2011-117
pp.11-15
ICD 2010-04-23
15:40
神奈川 湘南工大 [依頼講演]2Gb/s 1.8pJ/b/chip 128NANDフラッシュメモリチップ積層用誘導結合インタフェース
齊藤美都子三浦典之黒田忠広慶大ICD2010-19
チップ128枚螺旋階段積層を用いて積層した。コントローラは8枚チップを貫通してリレー伝送し所望のメモリチップにアクセスす... [more] ICD2010-19
pp.99-102
ICD 2009-12-15
17:00
静岡 静岡大学(浜松) 誘導結合通信を用いた低消費電力・高性能三次元プロセッサの開発 ~ 90nm CMOSマルチコアプロセッサと65nm CMOS SRAMの三次元システム集積 ~
新津葵一慶大/学振)・島崎靖久慶大/ルネサステクノロジ)・杉森靖史小浜由範春日一貴慶大)・野々村 到ルネサステクノロジ)・佐圓 真小松成亘長田健一入江直彦日立)・服部俊洋長谷川 淳ルネサステクノロジ)・黒田忠広慶大ICD2009-105
90nm CMOSプロセッサ上に、65nm CMOS SRAMを積層し、誘導結合を用いた三次元LSIシステムを構築した。... [more] ICD2009-105
pp.163-168
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
09:30
北海道 かでる2・7(札幌) 3-dimensional Terraced NAND(3D TNAND) Flash Memory
Yoon KimGil-Seong LeeJong Duk LeeHyungcheol ShinByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2008-56 SDM2008-75
We propose the 3-dimensional terraced NAND flash memory. It ... [more] ED2008-56 SDM2008-75
pp.85-88
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