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 18件中 1~18件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, THz
(共催)
2021-12-21
13:00
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]人工構造の立体性に基づくテラヘルツ波制御
大野誠吾東北大/理研ED2021-60
立体的な配置がTHz波の制御性に関わる2種類の人工構造を紹介する。一つ目はモアレ型メタ表面で、金属周期構造を2層ずらして... [more] ED2021-60
pp.58-61
IE, ITS
(共催)
ITE-MMS, ITE-ME, ITE-AIT
(共催)
(連催) [詳細]
2021-02-19
13:55
ONLINE オンライン開催 [特別講演]半導体量子ドットを用いた省電力の電子スピン情報光伝送
佐藤紫乃樋浦諭志高山純一村山明宏北大
半導体量子ドットは直径数十nmの微細な半導体ナノ構造であり,その内部に閉じ込められた電子は効率よく低消費電力で発光する.... [more]
MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG
(連催)
2019-10-17
17:15
福岡 九州大学 (西新プラザ) 点接合分光法を用いた遍歴強磁性体SrRuO3の電子状態測定
志賀雅亘高橋拓也原田琢良九大)・神原 浩天谷健一信州大)・稲垣祐次河江達也九大MRIS2019-26
SrRuO3はTc = 160 Kの遍歴強磁性体である。これまでに点接合分光法を用いたSrRuO3の単結晶薄膜試料でのス... [more] MRIS2019-26
pp.65-69
MWP 2019-05-22
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]省電力高速データ通信に向けた電子スピン偏極制御面発光レーザ
横田信英二坂薫平東北大)・池田和浩産総研)・八坂 洋東北大MWP2019-1
IoT技術の進展を支える省電力高速データ通信用光源技術の開拓が求められている.我々は低コストかつ省電力な面発光レーザ(V... [more] MWP2019-1
pp.1-4
QIT
(第二種研究会)
2018-11-26
13:30
東京 東京大学 [ポスター講演]Observing Spin-Hall effect of light in a uniaxial crystal via quantum weak measurement
C T SamlanUEC)・Nirmal K ViswanthanUoH
A new kind of spin-Hall effect due to circular birefringence... [more]
OPE, LQE, OCS
(共催)
2018-10-18
15:25
佐賀 佐賀県教育会館 第1会議室 高速化に向けた面発光レーザの電子スピン偏極変調特性
横田信英二坂薫平東北大)・池田和浩産総研)・八坂 洋東北大OCS2018-36 OPE2018-72 LQE2018-61
データ通信トラフィックの急激な増大に対応するため,省電力かつ低コストな面発光レーザ(VCSEL)の高速化が求められている... [more] OCS2018-36 OPE2018-72 LQE2018-61
pp.47-50
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-19
09:30
三重 伊勢市観光文化会館 スピン制御面発光レーザにおける発振円偏光度の複屈折依存性
横田信英竹内隆太郎八坂 洋東北大)・池田和浩産総研PN2016-63 EMT2016-92 OPE2016-138 LQE2016-127 EST2016-102 MWP2016-76
InAlGaAs量子井戸活性層構造面発光半導体レーザ(VCSEL)にスピン偏極電子を光励起することで,初めて円偏光発振特... [more] PN2016-63 EMT2016-92 OPE2016-138 LQE2016-127 EST2016-102 MWP2016-76
pp.127-130
ED 2016-10-25
15:20
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) 層間反強磁性Cr(001)を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化
宮崎健人阪井那央哉三重大)・永井滋一岩田達夫梶原和夫畑 浩一三重大/三重大極限ナノエレセED2016-47
電子の持つ電荷とスピンの両方の自由度を応用するスピントロニクスの発展には、磁性体表面・界面のスピン状態を、原子分解能で評... [more] ED2016-47
pp.17-20
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-10-23
11:10
大阪 大阪大学吹田キャンパス [招待講演]スピン偏極走査電子顕微鏡による磁気デバイス解析 ~ 電子スピンを検出する微小領域の磁化測定 ~
孝橋照生日立MR2015-21
スピン偏極走査電子顕微鏡(スピンSEM)は強磁性体試料から放出される二次電子のスピン偏極度を検出する磁区観察装置である.... [more] MR2015-21
pp.37-41
QIT
(第二種研究会)
2015-05-26
14:20
大阪 大阪大学 Development of a 17 GHz arbitrary waveform pulsed spectrometer for EPR quantum computation experiments at millikelvin temperatures
Yung Szen YapOsaka Univ./UTM)・Yutaka TabuchiRCAST, The University of Tokyo)・Makoto NegoroAkinori KagawaMasahiro KitagawaOsaka Univ.
High fidelity gate operations and initialization of qu... [more]
MI 2014-11-18
13:30
兵庫 イーグレひめじ [特別講演]核スピンイメージング研究の基礎と医用画像研究への展開
田中正義神戸常盤大)・牧野誠司和歌山県立医科大)・太田岳史阪大)・藤村寿子和歌山県立医科大MI2014-47
偏極3He及び19F磁気共鳴イメージング(MRI)を用いた核スピンイメージング (NSI) 開発の現状を述べる. 超偏極... [more] MI2014-47
pp.23-29
QIT
(第二種研究会)
2012-11-27
- 2012-11-28
神奈川 慶応大学 日吉キャンパス [ポスター講演]局所適応測定によるスピンネットワークの初期化
加藤 譲山本直樹慶大
本研究では,局所適応測定によるスピンネットワークの初期化の新たな手法を提案する.この手法は,単一スピンの局所的な適応測定... [more]
ED 2012-07-27
11:25
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験
日高志郎近藤太郎赤堀誠志・○山田省二北陸先端大ED2012-52
高In組成(75 %)InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス試料表面にCo0.8Fe0.2電極を複数配置した横方向ス... [more] ED2012-52
pp.61-65
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2012-01-20
09:00
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 超高精細スピン注入型空間光変調素子の光変調特性
町田賢司船橋信彦青島賢一加藤大典久我 敦菊池 宏NHK)・石橋隆幸長岡技科大)・清水直樹NHKMR2011-37
視域角の広い電子ホログラフィーの実現を目指し,サブミクロン磁性体に電流を流すことによって高速スイッチングが可能なスピン注... [more] MR2011-37
pp.41-46
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2010-03-12
16:20
愛知 名古屋大学 強磁性La2NiMnO6トンネルバリアを用いたスピンフィルター効果の評価
桂木敏文宮崎悠也志治佑一田中雅章壬生 攻名工大)・近藤浩太京大)・葛西伸哉物質・材料研究機構)・小野輝男京大MR2009-65
強磁性絶縁体La2NiMnO6のスピンフィルター効果を検証するために,SrTiO3基板上にLa0.7Sr0.3MnO3(... [more] MR2009-65
pp.39-43
OPE, LQE, OCS
(共催)
2009-10-22
10:15
福岡 九州大学 GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング
池田和浩黄 晋二片山健夫河口仁司奈良先端大OCS2009-44 OPE2009-110 LQE2009-69
スピン面発光半導体レーザ(Spin VCSEL)は、活性層中の光学遷移選択則を介して電子のスピン偏極に依存した発振偏光が... [more] OCS2009-44 OPE2009-110 LQE2009-69
pp.15-20
OPE, EMD, CPM, LQE
(共催)
2009-08-20
17:05
宮城 東北大学 GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振
黄 晋二藤野寛之河口仁司奈良先端大EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49
半導体レーザの活性層において電子スピン偏極を生じさせることにより、光学遷移選択則を介した円偏光レーザ発振が可能となる。G... [more] EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49
pp.83-88
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
13:15
愛知 名古屋工業大学 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係
前多悠也金 秀光谷奥雅俊渕 真悟宇治原 徹竹田美和山本尚人真野篤志中川靖英山本将博奥見正治中西 彊名大)・坂 貴大同工大)・堀中博道阪府大)・加藤俊宏大同特殊鋼ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36
我々はこれまでにGaAs/GaAsP歪み超格子半導体フォトカソードにより、高輝度・高偏極度スピン偏極電子源の実現に成功し... [more] ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36
pp.75-80
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