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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| AP | 2023-05-11 10:30 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター（てぃるる） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
3次元クラスター伝搬環境を実現できる球冠構造MIMO-OTA評価装置 ○本田和博（富山大）  AP2023-8 |
本論文では，垂直および水平方向にガウス分布を形成する3次元クラスター伝搬環境を実現するため，球冠上に散乱体アンテナを配置... [more] | AP2023-8 pp.1-6 |
| SIS, ITE-BCT (連催) |
2021-10-08 10:50 |
ONLINE | オンライン開催 | SfMのための画像輝度補正に関する一検討 ○高橋一彰・藤吉正明（都立大） SIS2021-18 |
本稿は，多数の写真による写真セットから三次元モデルを生成するStructure from Motion (SfM)への，... [more] | SIS2021-18 pp.42-47 |
| HIP | 2017-03-10 12:40 |
大阪 | 脳情報通信融合研究センター | 3次元回転運動を伴う呈示が対象の評価及び脳活動に及ぼす影響 ○甲原春花・井形元彦・桂 信太郎・繁桝博昭（高知工科大） HIP2016-88 |
画面上における商品の呈示手法として，商品を回転させることで3次元構造の知覚を可能にする手法が用いられるようになった．3D... [more] | HIP2016-88 pp.79-83 |
| MWP | 2014-04-17 15:10 |
北海道 | 札幌コンベンションセンター | フォトニック結晶結合共振器型光導波路の非線形特性調査 ○佐藤孝憲・牧野俊太郎・石坂雄平・齊藤晋聖（北大） MWP2014-9 |
フォトニック結晶結合共振器型光導波路は，スローライト効果により光と物質の相互作用を増加させ，非線形光学効果を増強できるこ... [more] | MWP2014-9 pp.45-50 |
| SDM | 2014-01-29 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造 篠原武一・○渡辺一史（ソニーセミコンダクタ）・太田和伸（ソニー）・中山 創（ソニーセミコンダクタ）・森川隆史（ソニー）・大野圭一・杉本 大（ソニーセミコンダクタ）・門村新吾・平山照峰（ソニー） SDM2013-146 |
1.20μm裏面照射型CMOSイメージセンサに適用した二つの三次元画素構造、縦型転送ゲート(VTG)と埋め込み遮光メタル... [more] | SDM2013-146 pp.47-50 |
| SDM | 2013-06-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成 ○吉田鉄兵・加藤公彦・柴山茂久・坂下満男・田岡紀之・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2013-45 |
高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には，良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成，お... [more] | SDM2013-45 pp.7-11 |
| SDM | 2011-10-20 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［特別講演］学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出 ○大見忠弘（東北大） SDM2011-102 |
インテル社のマイクロプロセッサの動作速度がこの6年間，3GHzクロック程度で完全に停滞していることが象徴するように，現状... [more] | SDM2011-102 pp.27-36 |
| SDM | 2011-07-04 16:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 ○堀田昌宏（奈良先端大/JST）・山崎浩司・町田絵美（奈良先端大）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2011-68 |
ガラス基板上に形成された2層積層構造シリコン薄膜に対して, グリーンレーザーアニール(GLA)による同時結晶化を行った.... [more] | SDM2011-68 pp.103-108 |
| SDM | 2008-12-05 14:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上 ○南園悠一郎・吉岡裕典・登尾正人・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2008-191 |
パワーデバイス用半導体材料として期待されているシリコンカーバイド (SiC)を用いて，立体ゲート構造MOSFETを作製し... [more] | SDM2008-191 pp.37-41 |
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