Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ICD2009-1
［招待講演］FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM
○滋賀秀裕・高島大三郎・白武慎一郎・穂谷克彦・宮川 正・荻原 隆・福田 良・滝澤亮介・初田幸輔・松岡史宜・長冨 靖・橋本大輔・西村久明・日岡 健・堂前須弥子（東芝）
pp. 1 - 6
ICD2009-2
［招待講演］大容量DRAMの技術動向とサブ1V-DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式
○秋山 悟・関口知紀・竹村理一郎・小田部 晃・伊藤清男（日立）
pp. 7 - 12
ICD2009-3
［招待講演］MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発
○杉林直彦・根橋竜介・崎村 昇・本庄弘明・斉藤信作（NEC）・伊藤雄一（NECエレクトロニクス）・三浦貞彦・加藤有光・森 馨（NEC）・尾崎康亮・小林洋介（NECエレクトロニクス）・大嶋則和・木下啓藏・鈴木哲広・永原聖万（NEC）
pp. 13 - 17
ICD2009-4
［パネル討論］低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?
○日高秀人（ルネサステクノロジ）・山岡雅直（日立）・宮野信冶（東芝）・秋山 悟（日立）・杉林直彦（NEC）・川嶋将一郎（富士通マイクロエレクトロニクス）・尾坂匡隆（パナソニック）
p. 19
ICD2009-5
[依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM
○藤村勇樹・平林 修・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・櫛田桂一・佐々木貴彦・片山 明・深野 剛・中里高明・志津木 康・串山夏樹・矢部友章（東芝）
pp. 21 - 26
ICD2009-6
カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM
○吉本秀輔・井口友輔・奥村俊介・藤原英弘・野口紘希（神戸大）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・川口 博・吉本雅彦（神戸大）
pp. 27 - 32
ICD2009-7
7T/14TディペンダブルSRAMおよびハーフセレクト回避セル配置構造
○奥村俊介・藤原英弘・井口友輔・野口紘希・川口 博（神戸大）・吉本雅彦（神戸大/JST）
pp. 33 - 38
ICD2009-8
［招待講演］NANDフラッシュメモリの技術動向および113mm2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ
○二山拓也・藤田憲浩・常盤直哉・進藤佳彦・枝広俊昭（東芝）・亀井輝彦・那須弘明（サンディスク）・岩井 信・加藤光司・福田康之・金川直晃・安彦尚文（東芝）・松本雅英（サンディスク）・姫野敏彦・橋本寿文（東芝）
pp. 39 - 42
ICD2009-9
[依頼講演]7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー
○本間充祥（東芝）・Cuong Trinh（サンディスク）・柴田 昇・中野 威・小川幹雄・佐藤順平・竹山嘉和・磯部克明（東芝）・Binh Le・Farookh Moogat・Nima Mokhlesi・Kenji Kozakai・Patrick Hong・Teruhiko Kamei（サンディスク）・岩佐清明（東芝）
pp. 43 - 46
ICD2009-10
［招待講演］三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路
○安福 正・石田光一（東大）・宮本晋示・中井弘人（東芝）・高宮 真・桜井貴康・竹内 健（東大）
pp. 47 - 52
ICD2009-11
積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計方法の検討
○菅野孝一・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 53 - 57
ICD2009-12
スピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMの設計法の検討
○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 59 - 64
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．