Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2009-135
［招待講演］MOSFETコンパクトモデルと今後の展開 ～ バルクMOSFETからマルチゲートMOSFETに向けて ～
○三浦道子・三宅正尭・上口 光・楠 隼太・石村健太・菊地原秀行・Feldmann Uwe・Mattausch Hans Juergen（広島大）
pp. 1 - 6
SDM2009-136
［招待講演］2009 SISPADレビュー
○田中克彦（MIRAI-Selete）
pp. 7 - 11
SDM2009-137
［招待講演］2009 SISPADレビュー (2)
○小川真人（神戸大）
pp. 13 - 17
SDM2009-138
表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル
○辻 博史（阪大/JST）・鎌倉良成・谷口研二（阪大）
pp. 19 - 22
SDM2009-139
回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT"
○三宅正尭・舛岡弘基・ウヴェ フェルドマン・三浦道子（広島大）
pp. 23 - 27
SDM2009-140
MEMS等価回路ジェネレータの開発
○藤原信代・浅海和雄（みずほ情報総研）・小池智之（マイクロマシンセンター）・土屋智由（京大）・橋口 原（静岡大）
pp. 29 - 32
SDM2009-141
CMOSバイオセンサー応用のためのデバイスモデリングとシミュレーション
○宇野重康・中里和郎（名大）
pp. 33 - 37
SDM2009-142
自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響
○鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・谷口研二（阪大）
pp. 39 - 44
SDM2009-143
原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也・鎌倉良成（阪大/JST）
pp. 45 - 48
SDM2009-144
フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
○竹田 裕（NECエレクトロニクス）・河田道人（NEC情報システムズ）・竹内 潔・羽根正巳（NECエレクトロニクス）
pp. 49 - 53
SDM2009-145
微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション
○来栖貴史・和田 真・松永範昭・梶田明広・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明・柴田英毅（東芝）
pp. 55 - 60
SDM2009-146
［チュートリアル招待講演］薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ～ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ～
○大村泰久（関西大）
pp. 61 - 66
SDM2009-147
［招待講演］微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき
○竹内 潔（MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス）・西田彰男（MIRAI-Selete）・平本俊郎（MIRAI-Selete/東大）
pp. 67 - 71
SDM2009-148
チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用
○坂本浩則・有本 宏・増田弘生・船山 敏・熊代成孝（MIRAI-Selete）
pp. 73 - 78
SDM2009-149
Atomic Scale Analysis of the Degradation Mechanism of the Integrity High-k/Metal-gate Interface Caused by the Interaction between Point-Defects and Residual Strain around the Interface
○Ken Suzuki・Yuta Itoh・Tatsuya Inoue・Hideo Miura（Tohoku Univ.）・Hideki Yoshikawa・Keisuke Kobayashi（National Inst. for Materials Science）・Seiji Samukawa（Tohoku Univ.）
pp. 79 - 84
SDM2009-150
構造緩和したSiO2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用
○川端研二・市川尚志・渡辺浩志（東芝）
pp. 85 - 90
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．