Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2009-36
Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価
○伊藤篤史・原田 憲・河瀬康弘・水谷文一（三菱化学）・原 誠・青木秀充・木村千春・杉野 隆（阪大）
pp. 1 - 6
ED2009-37
導波路管型高周波超音波洗浄機によるCMP後洗浄
○鈴木一成（カイジョー/芝浦工大）・潘 毅・岡野勝一・副島潤一郎（カイジョー）・小池義和（芝浦工大）
pp. 7 - 10
ED2009-38
べベルブラシ洗浄プロセスの開発
○萩本賢哉・岩元勇人（ソニー）
pp. 11 - 14
ED2009-39
メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性
増住拓朗・原 誠・○青木秀充・呂 志明・木村千 春・杉野 隆（阪大）
pp. 15 - 20
ED2009-40
GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価
○中村成志・星野晃一・落合俊輔・須原理彦・奥村次徳（首都大東京）
pp. 21 - 25
ED2009-41
原子層堆積により形成したAl2O3/AlGaN/GaNの界面評価
○水江千帆子・堀 祐臣（北大）・ミツェーク マルチン（Silesian Univ. of Tech.）・橋詰 保（北大）
pp. 27 - 30
ED2009-42
Improvement in Device Performance in MIS AlGaN/GaN HFETs by Designing Insulator/AlGaN/GaN Structures
○Narihiko Maeda・Masanobu Hiroki・Takatomo Enoki（NTT）・Takashi Kobayashi（NTT AT）
pp. 31 - 36
ED2009-43
AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討
○蔵口雅彦・湯元美樹・高田賢治・津田邦男（東芝）
pp. 37 - 40
ED2009-44
歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析
○西野啓之・川平一太・原 伸介・藤代博記（東京理科大）
pp. 41 - 46
ED2009-45
InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性
○赤堀誠志（北陸先端大/ユーリッヒ研）・Thanh Quang Trinh・工藤昌宏（北陸先端大）・Thomas Schaepers・Hilde Hardtdegen（ユーリッヒ研）・鈴木寿一（北陸先端大）
pp. 47 - 50
ED2009-46
SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング
○武部直明・山下浩明・高橋新之助・齋藤尚史・小林 嵩・宮本恭幸・古屋一仁（東工大）
pp. 51 - 55
ED2009-47
熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性
○丸井俊治・星 真一・戸田典彦・森野芳昭・伊藤正紀・大来英之・玉井 功・関 昇平（OKI）
pp. 57 - 62
ED2009-48
GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減
○山田敦史・牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研）
pp. 63 - 67
ED2009-49
SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存
○松下景一・桜井博幸・沈 正七・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝）
pp. 69 - 72
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．