Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2010-17
DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定
○渡邉 新・江川孝志（名工大）
pp. 1 - 4
SDM2010-18
Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性
○永井一弘・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大）
pp. 5 - 9
SDM2010-19
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
○近藤正樹・秦 貴幸・岡田 浩・若原昭浩・古川雄三（豊橋技科大）・佐藤真一郎・大島 武（原子力機構）
pp. 11 - 16
SDM2010-20
シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究
○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大）
pp. 17 - 21
SDM2010-21
Charging phenomena of a single electron in P-doped Si SOI-MOSFETs
○Earfan Hamid・Juli ChaTarido・Sakito Miki・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
pp. 23 - 26
SDM2010-22
Single Photon Detection in Single Dot and Multi Dot Channel Phosphorus-Doped SOI-FET
○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Sakito Miki・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shiuzoka Univ.）
pp. 27 - 31
SDM2010-23
混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
○早川泰弘・ムカンナン アリバナンドハン・ゴビンダサミー ラジェッシュ・小山忠信・百瀬与志美・森井久史・青木 徹・田中 昭・岡野泰則（静岡大）・小澤哲夫（静岡理工科大）・稲富裕光（JAXA）
pp. 33 - 38
SDM2010-24
Effect of Temperature on the Formation of ZnS Nanostructures and Properties
○Mani Navaneethan（Shizuoka Univ.）・Jayaram Archana・K. D. Nisha（SMR Univ）・Mukannan Arivanandhan（Shizuoka Univ.）・Suruttaiyaudaiyar Ponnusamy・Chellamuthu Muthamizhchelvan（SMR Univ）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
pp. 39 - 43
SDM2010-25
青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果
○以西雅章・加藤 卓（静岡大）
pp. 45 - 49
SDM2010-26
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査
○中村光宏・以西雅章（静岡大）
pp. 51 - 55
SDM2010-27
Ga2O3酸素センサの作製と評価
○茅野真也・山口直哉・以西雅章（静岡大）
pp. 57 - 60
SDM2010-28
白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性
○中村郁太・伊藤達也・以西雅章（静岡大）・星 陽一（東京工芸大）
pp. 61 - 64
SDM2010-29
MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 ～ Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討 ～
○後藤達彦・江川 鍛・小川博久・土用下尚外・福田浩幸・犬塚博章・舘 忠裕・藤村直也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）
pp. 65 - 68
SDM2010-30
インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化
○李 昌勇・松野文弥・橋元芳昇・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）
pp. 69 - 73
SDM2010-31
MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
○高野 泰・山田洋毅・見崎 龍・高木達也・福家俊郎（静岡大）
pp. 75 - 79
SDM2010-32
Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
○田中誠造・野口健太・山根啓輔・出口裕輝・古川雄三・岡田 浩・若原昭浩・米津宏雄（豊橋技科大）
pp. 81 - 85
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．