Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2013-88
［招待講演］SiCパワーデバイスの開発動向
○四戸 孝（東芝）
pp. 1 - 4
SDM2013-89
Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110)
○Nithi Atthi・Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
pp. 5 - 9
SDM2013-90
Effect of silicon surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering
○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
pp. 11 - 14
SDM2013-91
原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計
○黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）
pp. 15 - 20
SDM2013-92
内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード
○幸田安真・黒田理人・中尾幸久・須川成利（東北大）
pp. 21 - 25
SDM2013-93
窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討
○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大）
pp. 27 - 31
SDM2013-94
バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価
○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地 宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大）
pp. 33 - 36
SDM2013-95
古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ～ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ～
○江利口浩二・松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・斧 高一（京大）
pp. 37 - 40
SDM2013-96
積層型不揮発性メモリの設計法
○渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 41 - 46
SDM2013-97
プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響
亀井政幸・中久保義則・鷹尾祥典・○江利口浩二・斧 高一（京大）
pp. 47 - 50
SDM2013-98
MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析
○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大）
pp. 51 - 56
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．