Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2011] | [2012] | [2013] | [2014] | [2015] | [2016] | [2017] | [Japanese] / [English]
ED2014-53
［招待講演］高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術
○高橋 剛・佐藤 優・中舍安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介（富士通研）
pp. 1 - 6
ED2014-54
GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証
○大橋一水・藤松基彦・宮本恭幸（東工大）
pp. 7 - 11
ED2014-55
貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析
○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）
pp. 13 - 18
ED2014-56
［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造
○宮本恭幸・金澤 徹・米内義晴・加藤 淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大）
pp. 19 - 24
ED2014-57
III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析
○矢島悠貴・大濱諒子・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）
pp. 25 - 28
ED2014-58
GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善
○竹内克彦・谷口 理・柳田将志（ソニー）・佐々木有司・中村光宏（ソニーセミコンダクタ）・和田伸一（ソニー）
pp. 29 - 34
ED2014-59
シートデバイスに向けた塗布型カーボンナノチューブＴＦＴの作製
○遠藤浩幸・殿内規之・二瓶史行（NEC）・関谷 毅・染谷隆夫（東大）
pp. 35 - 40
ED2014-60
Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット
○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT）
pp. 41 - 46
ED2014-61
硬Ｘ線光電子分光によるGaAs表面の状態解析
○斎藤吉広・鶴見大輔・飯原順次・富永愛子・米村卓巳・山口浩司（住友電工）
pp. 47 - 50
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．