Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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EID2016-9
Development of recombination layer in Perovskite/Microcrystalline Si tandem solar cells
○Song Zhang・Yasuaki Yishikawa・Itaru Raifuku・Tiphaine Bourgeteau・Yukiharu Uraoka（NAIST）・Erik Johnson・Martin Foldyna・Yvan Bonnassieux・Pere Roca i Cabarrocas（Ecole polytechnique）
pp. 1 - 6
EID2016-10
ヘテロ接合型FeS2-Pyrite太陽電池に向けたFeS2/NiOx接合のバンドオフセット評価
○河村祐亮・石河泰明・内山俊祐（奈良先端大）・野瀬嘉太郎（京大）・浦岡行治（奈良先端大）
pp. 7 - 10
EID2016-11
ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価
○福嶋大貴・弓削政博・木村 睦・松田時宜（龍谷大）
pp. 11 - 14
EID2016-12
新規レアメタルフリーAOS-TFTの研究開発
○梅田鉄馬・加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 15 - 18
EID2016-13
IGZO薄膜素子の磁気抵抗効果に対する電極の影響
○符川明日香・野村竜生・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 19 - 22
EID2016-14
GaSnO膜のHall効果測定
○今西恒太・符川明日香・松田時宣・木村 睦（龍谷大）
pp. 23 - 26
EID2016-15
薄膜生体刺激デバイスのin-vitro実験
○冨岡圭佑・三宅康平・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 27 - 30
EID2016-16
薄膜コイルを用いたワイヤレス電力伝送
○山本友稀・三澤慶悟・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 31 - 35
EID2016-17
［招待講演］金属酸化物抵抗変化型メモリにおけるデータ保持特性の外部ストレス耐性
○木下健太郎（鳥取大）
pp. 37 - 40
EID2016-18
第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討
○森山拓洋・肥田聡太（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大）
pp. 41 - 44
EID2016-19
自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTから成るガラス上のCMOSインバータ
○大澤弘樹・原 明人（東北学院大）
pp. 45 - 48
EID2016-20
Ⅳ族非晶質薄膜のフラッシュランプ結晶化における熱力学的考察
○松尾直人・吉岡尚輝・部家 彰（兵庫県立大）・中村祥章・横森岳彦・吉岡正樹（ウシオ電機）
pp. 49 - 54
EID2016-21
アイランド状a-Ge膜のFLA結晶化
○吉岡尚輝・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大）・中村祥章・横森岳彦・吉岡正樹（ウシオ電機）
pp. 55 - 58
EID2016-22
p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減
○榎薗太郎・木本恒暢・須田 淳（京大）
pp. 59 - 62
EID2016-23
DNA/Si-MOSFET,寄生容量制御によるインバータ回路の検討
○中野 響・松尾直人・部屋 彰・高田忠雄・山名一成（兵庫県立大）・佐藤 旦・横山 新（広島大）
pp. 63 - 66
EID2016-24
加熱金属線を用いたペンタセンの分解とグラフェン系有機膜の形成
○部家 彰・松尾直人（兵庫県立大）
pp. 67 - 70
EID2016-25
非晶質InGaZnO薄膜の熱電特性評価
○多和勇樹・上沼睦典・藤本裕太・瀬名波大貴・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）
pp. 71 - 74
EID2016-26
薄膜トランジスタによるセルラニューラルネットワークでの文字認識
○杉崎澄生・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 75 - 79
EID2016-27
GTO薄膜を用いたプレーナ型シナプスの特性評価
○生島恵典・梅田鉄馬・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 81 - 84
EID2016-28
ニューラルネットワークのハードウェア化におけるキャパシタ型シナプスの検討
○和多田晃樹・中西弘樹・木村 睦・松田時宜（龍谷大）
pp. 85 - 88
EID2016-29
a-IGZO薄膜を用いたニューラルネットワークのシナプスの作製
○堀 賢将・田中 遼・古我祐貴・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 89 - 92
EID2016-30
セルラニューラルネットワークのアナログ回路シミュレーション
○横山朋陽・木村 睦・松田時宜（龍谷大）
pp. 93 - 97
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．