Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2017-21
［依頼講演］シンチレータとGa2O3半導体
○岡田 豪・臼井雄輝・河野直樹・河口範明・柳田健之（奈良先端大）
pp. 1 - 4
SDM2017-22
［依頼講演］SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 ～ 半導体で素粒子・X線を見る ～
○新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）
pp. 5 - 8
SDM2017-23
［依頼講演］皮膚アセトン測定に向けたWO3ナノ粒子半導体式ガスセンサの研究
○山田祐樹・檜山 聡（NTTドコモ）・田畑 仁（東大）
pp. 9 - 13
SDM2017-24
［依頼講演］ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術
○岩崎孝之・波多野睦子（東工大）
pp. 15 - 18
SDM2017-25
XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価
○藤村信幸・大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）
pp. 19 - 23
SDM2017-26
定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価
○大田晃生・加藤祐介・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）
pp. 25 - 29
SDM2017-27
分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討
○高山留美・星井拓也（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・大橋弘通・角嶋邦之・若林 整・筒井一生（東工大）
pp. 31 - 34
SDM2017-28
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製
○川那子高暢・居駒 遼・高木寛之・小田俊理（東工大）
pp. 35 - 38
SDM2017-29
Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価
○金田裕一・池 進一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大）
pp. 39 - 42
SDM2017-30
エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）
pp. 43 - 48
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．