Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2014] | [2015] | [2016] | [2017] | [2018] | [2019] | [2020] | [Japanese] / [English]
SDM2017-61
［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション
○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則（名大）・寒川義裕・柿本浩一（九大）
pp. 1 - 4
SDM2017-62
［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（1）
○廣木 彰（京都工繊大）
pp. 5 - 10
SDM2017-63
p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討
○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 11 - 14
SDM2017-64
［招待講演］SiC中の不純物拡散モデル
○植松真司（慶大）
pp. 15 - 20
SDM2017-65
［招待講演］SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化
○佐藤高史・大石一輝・廣本正之（京大）・新谷道広（奈良先端大）
pp. 21 - 26
SDM2017-66
［招待講演］深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション
○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡（産総研）・橋詰 保（北大）
pp. 27 - 32
SDM2017-67
［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（2）
○来栖貴史（東芝メモリ）
pp. 33 - 36
SDM2017-68
［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ～ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ～
○佐野伸行（筑波大）
pp. 37 - 42
SDM2017-69
［招待講演］極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション
○森 伸也・美里劫夏南（阪大）・岩田潤一・押山 淳（東大）
pp. 43 - 46
SDM2017-70
［招待講演］行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標
○熊代成孝・亀井達也・廣木 彰・小林和淑（京都工繊大）
pp. 47 - 52
SDM2017-71
［招待講演］トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル
○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 53 - 58
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．