Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2019-36
［招待講演］大規模な組合せ最適化問題に向けたスケーラブルなCMOSアニーリングプロセッサ
○林 真人・竹本享史・吉村地尋・山岡雅直（日立）
pp. 1 - 5
SDM2019-37
二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析
○浅井栄大・張 文馨・岡田直也・福田浩一・入沢寿史（産総研）
pp. 7 - 10
SDM2019-38
［招待講演］Art(芸術)のアプローチを取り入れたものづくり教育”STEAM教育”から見るこれからのIoT/AI
○北山貴彦（KAMAKEのすすめ）
pp. 11 - 14
SDM2019-39
［招待講演］28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
○下井貴裕・斉藤朋也・長瀬寛和・伊豆名雅之・神田明彦・伊藤 孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 15 - 19
SDM2019-40
［招待講演］汎用メモリを利用した量子アニーリング機械の提案
○棚本哲史（帝京大）
pp. 21 - 26
SDM2019-41
極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析
○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）
pp. 27 - 30
SDM2019-42
［依頼講演］5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
○平本俊郎・更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・齋藤 渉（九大）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大）
pp. 31 - 34
SDM2019-43
［招待講演］雑音低減デジタル技術を適用した低雑音低電力MEMS型加速度センサ
○古林優希・大島 俊・鎌田雄大・礒部 敦（日立）
pp. 35 - 40
SDM2019-44
Q値増大手法による無線電力伝送システムでの伝送距離増大に関する検討
○杉本泰博・鈴木統万（中大）
pp. 41 - 46
SDM2019-45
［招待講演］極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討
○小林正治・莫 非・多川友作・金 成吉・安 珉柱・更屋拓哉・平本俊郎（東大）
pp. 59 - 62
SDM2019-46
アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価
○加藤公彦（東大/産総研）・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大）
pp. 63 - 66
SDM2019-47
［招待講演］ISO26262 ASIL-Dをサポートする、次世代自動車アーキテクチャ向けに仮想化支援プロセッサを内蔵した28nm・600MHz車載フラッシュマイクロコントローラ
○奥村直人・大谷寿賀子・大槻典正・鈴木康文・前田昇平・柳田智則・小池貴夫・伊藤正雄・上村 稔・島崎靖久・服部俊洋・阪本憲成・近藤弘郁（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 67 - 71
SDM2019-48
大規模センサアレイ用オペアンプ出力抵抗補正インターフェース
○椎木陽介・石黒仁揮（慶大）
pp. 73 - 78
SDM2019-49
磁性体を利用したディジタルICチップノイズ対策手法の評価
○地家幸佑・渡邊 航・田中 聡・三浦典之・永田 真（神戸大）・高橋昭博・宮澤安範・山口正洋（東北大）
pp. 79 - 83
SDM2019-50
［招待講演］テラビット大容量応用に向けたAgイオンメモリセルアレイ実証
○市原玲華・藤井章輔・今野拓也・山口まりな・関 春海・田中洋毅・趙 丹丹・吉村瑶子・齋藤真澄・小山正人（東芝メモリ）
pp. 85 - 88
SDM2019-51
急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響
○矢吹 亘・井田次郎・森 貴之（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）
pp. 89 - 93
SDM2019-52
極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ
○山田拓弥・井田次郎・森 貴之・安丸暢彦・伊東健治（金沢工大）・石橋考一郎（電通大）
pp. 95 - 98
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．