Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2021-22
［記念講演］イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質
○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大）
pp. 1 - 6
SDM2021-23
［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象 ～
○トープラサートポン カシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一（東大）
pp. 7 - 12
SDM2021-24
［依頼講演］二次元材料をチャネルとするFET
○若林 整（東工大）
pp. 13 - 15
SDM2021-25
［依頼講演］シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発
○森 貴洋（産総研）
p. 16
SDM2021-26
［依頼講演］デバイス応用に向けた強誘電性HfO2の理解をめざして
○鳥海 明
pp. 17 - 20
SDM2021-27
アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ
○松井千尋・竹内 健（東大）
pp. 21 - 22
SDM2021-28
組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響
○三澤奈央子・田岡健太・越能俊介・松井千尋・竹内 健（東大）
pp. 23 - 26
SDM2021-29
熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御
○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
pp. 27 - 31
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．