Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2022-54
［招待講演］エックス線光学素子のニーズ ～ 新プロセス技術への期待 ～
○矢代 航（東北大）
pp. 1 - 4
SDM2022-55
次世代メモリ用薄膜の統計的解析を行う高精度・広範囲抵抗測定技術
○光田薫未・天満亮介・間脇武蔵・黒田理人（東北大）
pp. 5 - 8
SDM2022-56
A study on threshold voltage control of MFSFET with ultrathin ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory applications
○Joong-Won Shin・Masakazu Tanuma・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech）
pp. 9 - 12
SDM2022-57
［招待講演］表面熱析出法を用いた単原子層h-BN薄膜／LaB6ヘテロ構造の作製とその評価
○長岡克己・相澤 俊・大見俊一郎（物質・材料研究機構）
pp. 13 - 15
SDM2022-58
強誘電体BiFeO3薄膜表面の評価と分析
○今泉文伸（小山高専）
pp. 16 - 19
SDM2022-59
CrSiC薄膜抵抗体の微細構造が電気特性に与える影響
○伊藤 望・前川和義・高橋裕治・利根川 丘（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 20 - 23
SDM2022-60
［招待講演］紙の基板を用いた有機強誘電体トランジスタの作製と有機太陽電池への応用
○朴 炳垠（ソウル市大）・大見俊一郎（東工大）
pp. 24 - 27
SDM2022-61
A study on low-voltage operation of pentacene-based floating-gate memory utilizing Ar/N2-plasma nitridation with N-doped LaB6 metal and high-k LaBxNy insulator
○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.）
pp. 28 - 33
SDM2022-62
［招待講演］CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上
○細井卓治（関西学院大）・志村考功・渡部平司（阪大）
pp. 34 - 37
SDM2022-63
強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討
○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大）
pp. 38 - 42
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．