Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2022-24
［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性
○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大）
pp. 1 - 4
SDM2022-25
多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成
○橋本 薫・柴山茂久・安坂幸師・中塚 理（名大）
pp. 5 - 8
SDM2022-26
金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響
○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
pp. 9 - 12
SDM2022-27
［依頼講演］オペランド・ナノX線分光を活用した次世代高周波デバイス研究
○吹留博一（東北大）
pp. 13 - 15
SDM2022-28
［依頼講演］TMD混晶の物性と新規低温CVD原料の探索
○小椋厚志・横川 凌（明大/MREL）・若林 整（東工大）
pp. 16 - 19
SDM2022-29
［依頼講演］遷移金属カルコゲン化合物ヘテロ構造体の電子物性
○丸山実那（筑波大）
pp. 20 - 22
SDM2022-30
［招待講演］WSe2 n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ
○川那子高暢・松﨑貴広・梶川亮介・宗田伊理也・星井拓也・角嶋邦之・筒井一生・若林 整（東工大）
pp. 23 - 26
SDM2022-31
SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御
○木村圭佑・田岡紀之・西村駿介・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
pp. 27 - 30
SDM2022-32
Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御
○酒井大希・松下圭吾・大田晃生・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
pp. 31 - 34
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．