Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2023-27
［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計
○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大）
pp. 1 - 4
SDM2023-28
［記念講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研）
pp. 5 - 6
SDM2023-29
自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価
○奥平 諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大）
pp. 7 - 10
SDM2023-30
FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響
○斎藤陽斗・牧原克典・谷田 駿・田岡紀之・宮﨑誠一（名大）
pp. 11 - 14
SDM2023-31
熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価
○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大）
pp. 15 - 18
SDM2023-32
［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓
○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛 埴・谷内敏之（東大）
pp. 19 - 22
SDM2023-33
［依頼講演］結晶相転移接合トランジスタの実証
○冨岡克広・勝見 悠・本久順一（北大）
pp. 23 - 27
SDM2023-34
［招待講演］加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察 ～ 多結晶Siチャネル高性能化に向けて ～
○手面 学・浅野孝典・高石理一郎・富田充裕・齋藤真澄・田中洋毅（キオクシア）
pp. 28 - 30
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．