Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2018] | [2019] | [2020] | [2021] | [2022] | [2023] | [2024] | [Japanese] / [English]
SDM2024-65
［招待講演］4F2型セルを有する酸化物半導体チャネルトランジスタ DRAM (OCTRAM)
○有吉恵子（キオクシア）
pp. 1 - 2
SDM2024-66
［招待講演］オン電流112.2μA/μmを達成するSi CMOS上にモノリシックに積層されたゲートを引き上げた結晶性酸化インジウムVFET
○宮田翔希・古谷一馬・幸村雄介・安藤善範・齋藤 暁・廣瀬丈也・井坂史人・宮入秀和・駒形大樹・片桐治樹・松嵜隆徳・大貫達也・山﨑舜平（半導体エネルギー研）
pp. 3 - 6
SDM2024-67
［招待講演］Understanding the Impact of Bipolar Cycling on Memory Window Narrowing in HZO/Si FeFETs: Role of Hole Trapping and De-trapping Dynamics
○Seong-Kun CHO・Kasidit Toprasertpong・Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi（Univ. of Tokyo）
pp. 7 - 10
SDM2024-68
［招待講演］シリコンFin型量子ドットにおける長周期動作不安定性の起源
○岡 博史・浅井栄大・加藤公彦・稲葉 工・下方駿佑・飯塚将太・千足勇介・小林唯華・由井 斉・永野聖子・村上重則・射場義久・小倉 実・中山隆史・小池帆平・更田裕司（産総研）・森山悟士（東京電機大）・森 貴洋（産総研）
pp. 11 - 14
SDM2024-69
［招待講演］3次元フラッシュメモリ将来世代向けHorizontal channel flash構造
○小田 穣・坂廻昂祐・妹尾駿一・仲田裕貴・福岡 諒・草井 悠・細谷啓司・中西 徹・萩島大輔・石川俊也・小倉達朗・内藤慎哉・来栖貴史・真野須弥子・荻窪 剛・藤松基彦・杉前紀久子・畠山みな・犬塚雄貴・仁木祐介・田中里英子・柴田 昇・中村 寛・藤原 実・松尾浩司・下城義朗・荒井史隆・近藤正樹・沖 知普・鬼頭 傑（キオクシア）
p. 15
SDM2024-70
［招待講演］1/1.3型 5000万画素DNN搭載３枚積層CMOSイメージセンサ
○須田洋輔（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 16 - 19
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．