Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2025-55
［招待講演］シリコンスピン量子ビット操作用埋め込み微小磁石の集積構造設計
○飯塚将太・加藤公彦・八木下淳史・浅井栄大・上田哲也・岡 博史・服部淳一・池上 努・福田浩一・森 貴洋（産総研）
pp. 1 - 6
SDM2025-56
［招待講演］離散不純物の空間局在性を反映させた非平衡グリーン関数法 ～ 理論的枠組みと非局所な不純物散乱 ～
○佐野伸行（筑波大）
pp. 7 - 12
SDM2025-57
［招待講演］4H-SiC反転層における電子状態の原子論的解析
○永溝幸周・田中 一・森 伸也（阪大）
pp. 13 - 18
SDM2025-58
［招待講演］マルチスケールモデリングによる4H-SiCアバランシェ生成モデルの開発
○千石光洋・蟹江創造（TDSC）
pp. 19 - 22
SDM2025-59
［招待講演］3次元方向のスケーリングに耐えるGAAコンパクトモデルの開発と検証
○神澤雅俊（信州大）・三浦道子・菊地原秀行・飯塚貴弘（広島大）・上口 光（信州大）
pp. 23 - 27
SDM2025-60
［招待講演］高アスペクト比構造におけるALDプロセスのパージ効果シミュレーション
○中村悟史・小武守 恒・八島健太・池田大志・大村 匠・嘉山康之（DSRJ）・YunTae Lee・Gwangsu Yoo・辻 幸秀・Shinwook Yi・Jaehoon Jeong・Dae Sin Kim（SEC）
pp. 28 - 33
SDM2025-61
［招待講演］SISPAD2025 レビュー
○相馬聡文（神戸大）
pp. 34 - 39
SDM2025-62
においセンサシステムにおけるアナログフロントエンドの集積回路化
○中村拓未・竹内 悠・吉河武文（富山県立大）
pp. 40 - 43
SDM2025-63
［招待講演］SiC MOSFET反転層の閉形式温度依存移動度物理モデル
○畠山哲夫（富山県立大）
pp. 44 - 47
SDM2025-64
［招待講演］TCADシミュレーションを用いたGaN縦型パワーデバイスJTE終端構造に対するMgチャネリングイオン注入効果の解析
○北川和輝・Maciej Matys・加地 徹・須田 淳（名大）
pp. 48 - 51
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．