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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2023年度)
「from:2023-10-13 to:2023-10-13」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 13:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］UVナノインプリントリソグラフィーの欠陥低減 ○伊藤俊樹（キヤノン）  SDM2023-54 |
半導体デバイス製造への適用を目指して、インクジェット吐出型UVナノインプリント技術を開発中である。従来はレジストドロップ... [more] | SDM2023-54 pp.1-6 |
| SDM | 2023-10-13 13:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［若手招待講演］Investigation on Thermoelectric Properties of Flexible Thermoelectric Power Generators from Conductive Fabrics ○Hudzaifah Al Hijri・Daiki Kansaku・Hiroya Ikeda（Shizuoka Univ.） SDM2023-55 |
[more] | SDM2023-55 pp.7-12 |
| SDM | 2023-10-13 14:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討 ○小林清輝（東海大） SDM2023-56 |
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では，シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] | SDM2023-56 pp.13-20 |
| SDM | 2023-10-13 15:10 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析 ○間脇武蔵・黒田理人（東北大） SDM2023-57 |
我々はアレイテスト回路などから構成される測定システム全体を，電気特性計測プラットフォーム技術と呼称し，様々な半導体素子の... [more] | SDM2023-57 pp.21-26 |
| SDM | 2023-10-13 16:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性 ○西田 脩・片山慶太・中村大輔（九大）・後藤哲也（東北大）・池上 浩（高知工科大） SDM2023-58 |
エキシマレーザーアニール（ELA）法で結晶化した低温ポリシリコン（LTPS）薄膜トランジスタ（TFT）は、アモルファスシ... [more] | SDM2023-58 pp.27-33 |
| SDM | 2023-10-13 16:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | サファイア基板上への酸化ガリウム薄膜の形成と基礎評価 ○今泉文伸・森田拓海（小山高専） SDM2023-59 |
近年、半導体材料の開発としてワイドバンドギャップの材料開発の重要性が高まっている。特に光デバイスやパワーデバイスの開発が... [more] | SDM2023-59 pp.34-39 |
| SDM | 2023-10-13 16:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス ○近藤 剣・上野勝典・田中 亮・高島信也・江戸雅晴（富士電機）・諏訪智之（東北大） SDM2023-60 |
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] | SDM2023-60 pp.40-45 |
| SDM | 2023-10-13 17:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 窒素添加LaB6 /LaBxNy積層構造を用いたボトムゲート型OFET/ReRAM集積化に関する検討 ○趙 嘉昂・大見俊一郎（東工大） SDM2023-61 |
本研究では、窒素添加LaB6をターゲットとしてAr/N2プラズマを用いた反応性スパッタ法により形成したLaBxNy絶縁膜... [more] | SDM2023-61 pp.46-49 |
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