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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 野村 晋太郎 (筑波大), 笹子 佳孝 (日立)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 加地 徹 (豊田中研)
副委員長 原 直紀 (富士通研)
幹事 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)
幹事補佐 葛西 誠也 (北大), 松永 高治 (NEC)

日時 2013年 2月27日(水) 13:30 - 17:45
2013年 2月28日(木) 09:00 - 12:10
議題 機能ナノデバイスおよび関連技術 
会場名 北海道大学 百年記念会館 
住所 〒060-0809 札幌市北区北9条西6丁目
交通案内 JR「札幌駅」下車、徒歩10分
http://www.hokudai.ac.jp/introduction/campus/100th/
会場世話人
連絡先
大学院情報科学研究科 葛西誠也
011-706-3211(会場)
他の共催 ◆応用物理学会共催
お知らせ ◎初日研究会終了後、懇親会を予定しております。ぜひご参加下さい。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

2月27日(水) 午後 
13:30 - 17:45
(1) 13:30-14:10 [招待講演]グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果 ED2012-128 SDM2012-157 町田友樹東大/JST)・増渕 覚大貫雅広井口和之森川 生山口健洋荒井美穂東大)・渡邊賢司谷口 尚物質・材料研究機構
(2) 14:10-14:35 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化 ED2012-129 SDM2012-158 池田浩也鈴木悠平三輪一聡静岡大)・ファイズ サレ静岡大/学振
(3) 14:35-15:00 電気化学堆積法と電気泳動法によるCu2O/TiO2ヘテロ接合太陽電池の作製 ED2012-130 SDM2012-159 加藤義人市村正也名工大
(4) 15:00-15:25 イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか ED2012-131 SDM2012-160 榊原宏武和田耕司加藤正史市村正也名工大
  15:25-15:40 休憩 ( 15分 )
(5) 15:40-16:05 Individual Dopant Nature in Si Lateral Nano-pn Junctions ED2012-132 SDM2012-161 Sri PurwiyantiArief UdhiartoShizuoka Univ./Univ. Indonesia)・Roland NowakShizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.)・Daniel MoraruTakeshi MizunoShizuoka Univ.)・Djoko HartantoUniv. Indonesia)・Ryszard JablonskiWarsaw Univ. of Tech.)・Michiharu TabeShizuoka Univ.
(6) 16:05-16:30 フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性 ED2012-133 SDM2012-162 孫 屹木村祐太前元利彦佐々誠彦阪工大)・葛西誠也北大
(7) 16:30-16:55 グラフェン3分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討 ED2012-134 SDM2012-163 殷 翔葛西誠也北大
(8) 16:55-17:20 Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ED2012-135 SDM2012-164 前澤宏一伊藤泰平角田 梓中山幸二安井雄一郎森 雅之富山大)・宮崎英志水谷 孝名大
(9) 17:20-17:45 InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス ED2012-136 SDM2012-165 船山裕晃渡邉龍郎道又賢司和保孝夫村上 新下村和彦上智大
2月28日(木) 午前 
09:00 - 12:10
(10) 09:00-09:25 室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化 ED2012-137 SDM2012-166 鈴木龍太野末喬城更屋拓也平本俊郎東大
(11) 09:25-09:50 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価 ED2012-138 SDM2012-167 内田貴史竹中浩人吉岡 勇有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
(12) 09:50-10:15 散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振 ED2012-139 SDM2012-168 水柿義直電通大
(13) 10:15-10:40 超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関 ED2012-140 SDM2012-169 滝口将志守屋雅隆島田 宏水柿義直電通大
  10:40-10:55 休憩 ( 15分 )
(14) 10:55-11:20 SPMスクラッチ法を用いたナノスケール加工のグラフェンへの適用 ED2012-141 SDM2012-170 須田隆太郎齋藤孝成吉田 卓東京農工大)・Ampere A. TsengArizona State Univ.)・白樫淳一東京農工大
(15) 11:20-11:45 ジュール加熱されたグラフェンの近赤外イメージングによるその場温度測定 ED2012-142 SDM2012-171 齋藤孝成厚母息吹須田隆太郎伊藤光樹白樫淳一東京農工大
(16) 11:45-12:10 CNT添加カーボンファイバの電気的特性 ED2012-143 SDM2012-172 綿貫雄仁田中 朋佐野栄一古月文志北大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 35 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E--mail: o 
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E--mail : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E--mailzopac 


Last modified: 2012-12-13 20:39:31


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