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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明 (福井大)
副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 新井 学 (新日本無線), 高谷 信一郎 (日立)
幹事補佐 原 直紀 (富士通研), 村田 浩一 (NTT)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 浅野 種正 (九大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通)
幹事 川中 繁 (東芝), 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

日時 2008年 1月30日(水) 13:30 - 18:20
2008年 1月31日(木) 09:00 - 12:30
議題 機能ナノデバイスとおよび関連技術 
会場名 北海道大学 百年記念会館 大会議室 
住所 〒060-0809 札幌市北区北9条西6丁目
交通案内 JR札幌駅より徒歩5分
http://www.hokudai.ac.jp/bureau/keiri/sisetu/map.htm
会場世話人
連絡先
管理人室
011-706-3211
お知らせ ◎1月30日(水)研究会終了後、18:30~懇親会を予定していますのでご参加下さい。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

1月30日(水) 午後 
13:30 - 15:10
(1) 13:30-13:55 MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長 ED2007-237 SDM2007-248 山口雅史白 知鉉西脇達也吉田 隆澤木宣彦名大
(2) 13:55-14:20 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価 ED2007-238 SDM2007-249 登坂仁一郎佐藤拓也本久順一原 真二郎福井孝志北大
(3) 14:20-14:45 Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope ED2007-239 SDM2007-250 Maciej LigowskiShizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.)・Ratno NuryadiAkihiro IchirakuMiftahul AnwarShizuoka Univ.)・Ryszard JablonskiWarsaw Univ. of Tech.)・Michiharu TabeShizuoka Univ.
(4) 14:45-15:10 Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer ED2007-240 SDM2007-251 Daniel MoraruDaisuke NagataKiyohito YokoiHiroya IkedaMichiharu TabeShizuoka Univ.
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
1月30日(水) 午後 
15:20 - 18:20
(5) 15:20-15:55 [招待講演]InP系バリスティックトランジスタ ED2007-241 SDM2007-252 宮本恭幸古屋一仁東工大/JST
(6) 15:55-16:20 InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送 ED2007-242 SDM2007-253 小山政俊井上達也天野直樹藤原健司前元利彦佐々誠彦井上正崇阪工大
(7) 16:20-16:45 GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形特性制御と論理ゲートへの応用 ED2007-243 SDM2007-254 アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ白鳥悠太葛西誠也北大
  16:45-16:50 休憩 ( 5分 )
(8) 16:50-18:20 パネル討論
1月31日(木) 午前  応用
09:00 - 12:30
(9) 09:00-09:25 シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上 ED2007-244 SDM2007-255 池田浩也山下尚見静岡大
(10) 09:25-09:50 カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて ED2007-245 SDM2007-256 森 貴洋理研)・佐藤俊介大村一夫理研/東京理科大)・内田勝美矢島博文東京理科大)・石橋幸治理研/JST
(11) 09:50-10:15 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案 ED2007-246 SDM2007-257 塙 裕一郎坂田拓也惣田崇志韓 貴森井久史松原勝見山下 進静岡大)・長尾昌善金丸正剛産総研)・根尾陽一郎青木 徹三村秀典静岡大
(12) 10:15-10:40 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化 ED2007-247 SDM2007-258 前澤宏一富山大)・亀谷直樹岸本 茂水谷 孝名大)・安藤浩哉豊田高専)・赤松和弘中田弘章日鉱金属
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(13) 10:50-11:15 4RTD論理回路の動作解析 ED2007-248 SDM2007-259 江幡友彦奥山太樹和保孝夫上智大
(14) 11:15-11:40 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装 ED2007-249 SDM2007-260 葛西誠也北大/JST)・趙 洪泉橋詰 保北大
(15) 11:40-12:05 Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作 ED2007-250 SDM2007-261 開澤拓弥曹 民圭有田正志北大)・藤原 聡山崎謙治小野行徳NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大
(16) 12:05-12:30 ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 ~ 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御 ~ ED2007-251 SDM2007-262 西口克彦藤原 聡NTT

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E--mail: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E--mail: crl
村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E--mailaecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-4337
E--mail : nf 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 西岡泰城(日本大学理工学部 精密機械工学科)
TEL047-469-6482,FAX047-467-9504
E--mail:etn-u,acmsk 


Last modified: 2007-11-20 08:50:08


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