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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2015年度)
「from:2016-01-20 to:2016-01-20」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2016-01-20 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiC基板の評価技術とデバイス特性 ○北畠 真（FUPET）  ED2015-112 |
[more] | ED2015-112 pp.1-6 |
| ED | 2016-01-20 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現 ○濱田憲治・日野史郎・三浦成久・渡邊 寛・中田修平・末川英介・海老池勇史・今泉昌之・梅嵜 勲・山川 聡（三菱電機） ED2015-113 |
既存の鉄道車両向けモジュールのさらなる効率化を図るため，次世代パワー半導体材料であるSiCを用いた3.3 kV耐圧のMO... [more] | ED2015-113 pp.7-12 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| ED | 2016-01-20 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術 ○中原 健・近松健太郎・山口敦司・黒田尚孝（ローム） ED2015-115 |
窒化ガリウムパワーデバイスは、ON抵抗(Ron)とゲート電荷(Qg)の積RonQgで表すFigure of Meritが... [more] | ED2015-115 pp.19-24 |
| ED | 2016-01-20 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ～ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ～ ○大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-116 |
Ga2O3やダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体が，レクテナ回路のRF-DC変換効率に与える影響を等価回路モデル... [more] | ED2015-116 pp.25-29 |
| ED | 2016-01-20 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送 ○大野泰夫（レーザーシステム） ED2015-117 |
GaN系電子デバイスはパワーデバイスとしても優れた特性を持つが、大きなインパクトを持つ応用が現れていない。一方で携帯機器... [more] | ED2015-117 pp.31-35 |
| ED | 2016-01-20 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 ○高橋 剛・川野陽一・牧山剛三・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀（富士通研） ED2015-118 |
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM... [more] | ED2015-118 pp.37-41 |
| ED | 2016-01-20 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析 ○渡辺伸介・今井翔平・桑田英悟・小山英寿・加茂宣卓・山本佳嗣（三菱電機） ED2015-119 |
GaN HEMTのユニットセルトランジスタにおいて、ミリ波帯の発振が観測された。この発振を抑制すべくトランジスタに対して... [more] | ED2015-119 pp.43-48 |
| ED | 2016-01-20 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］高周波用GaN-HEMTの開発 ○川合貴久（SEDI） ED2015-120 |
[more] | ED2015-120 pp.49-54 |
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