| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2010年度)
「from:2011-02-07 to:2011-02-07」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2011-02-07 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［基調講演］3次元実装技術とCPI(Chip Package Interaction)の課題 ○折井靖光・鳥山和重・堀部晃啓・松本圭司・佐久間克幸（日本IBM）  SDM2010-216 |
[more] | SDM2010-216 pp.1-6 |
| SDM | 2011-02-07 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ロバストLow-k(k～2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証 ○井上尚也・植木 誠・山本博規・久米一平・川原 潤・井口 学・本田広一・堀越賢剛・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2010-217 |
LSI配線における層間絶縁膜の誘電率 (k値) 低減が、遅延やタイミングマージンなどのLSI性能に及ぼす影響を、40nm... [more] | SDM2010-217 pp.7-12 |
| SDM | 2011-02-07 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | コンプライアントバンプ技術のイメージセンサーへの応用 ○渡辺直也・浅野種正（九大） SDM2010-218 |
[more] | SDM2010-218 pp.13-18 |
| SDM | 2011-02-07 12:40 |
東京 | 機械振興会館 | CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響 ○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・渡邉 桂・加藤 賢・坂田敦子・梶田明広・柴田英毅（東芝） SDM2010-219 |
CuSiNにはエレクトロマイグレーション(EM)改善効果と配線抵抗の上昇がトレードオフになってしまうという問題があるが、... [more] | SDM2010-219 pp.19-23 |
| SDM | 2011-02-07 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長：結晶性の放電条件依存 ○小川修一（東北大/JST）・佐藤元伸（富士通/JST）・角 治樹（東北大）・二瓶瑞久（富士通/JST）・高桑雄二（東北大/JST） SDM2010-220 |
グラフェンを低温（400℃以下）、触媒無し、大面積成長させるため、我々は光電子制御プラズマを開発した。本研究では光電子制... [more] | SDM2010-220 pp.25-30 |
| SDM | 2011-02-07 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 ○小濱和之・伊藤和博・薗林 豊（京大）・大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサス エレクトロニクス）・白井泰治（京大）・村上正紀（立命館大） SDM2010-221 |
我々は、Cu(Ti)合金薄膜と誘電体層との界面反応を用いた「Ti基自己形成バリア」を検討してきた。近年、Ti基自己形成バ... [more] | SDM2010-221 pp.31-35 |
| SDM | 2011-02-07 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | 光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線 ○佐藤元伸（富士通/JST/産総研）・小川修一（東北大/JST）・池永英司（高輝度光科学研究センター/JST）・高桑雄二（東北大/JST）・二瓶瑞久（富士通/JST/産総研）・横山直樹（産総研） SDM2010-222 |
Cuに代わる新たなLSI配線材料として、多層グラフェンを検討している。多層グラフェンはCuより低い抵抗率、高い熱伝導率、... [more] | SDM2010-222 pp.37-42 |
| SDM | 2011-02-07 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | Cu - TSV/ Cu -Snマイクロバンプを有する薄ウェハのストレス評価 ○Murugesan Mariappan・福島誉史・田中 徹・小柳光正（東北大） SDM2010-223 |
[more] | SDM2010-223 pp.43-47 |
| SDM | 2011-02-07 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス ○北田秀樹・前田展秀（東大）・藤本興治（大日本印刷）・水島賢子・中田義弘・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大） SDM2010-224 |
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] | SDM2010-224 pp.49-53 |
| SDM | 2011-02-07 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | 新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k<3.5) ○宇佐美達矢・小林千香子・三浦幸男（ルネサス エレクトロニクス）・永野修次（大陽日酸）・大音光市（ルネサス エレクトロニクス）・清水秀治（大陽日酸）・加田武史・大平達也（トリケミカル研）・藤井邦宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2010-225 |
今回、CuバリアLow-k膜として、新プリカーサーであるDiBDMS (Di-iso-Buthyl DiMethyl S... [more] | SDM2010-225 pp.55-58 |
| SDM | 2011-02-07 16:25 |
東京 | 機械振興会館 | メタルハードマスクプロセスを用いた32nm以細対応ELK配線技術 ○松本 晋・原田剛史・森永泰規・稲垣大介・柴田潤一・田代健二・可部達也・岩崎晃久・平尾秀司・筒江 誠・野村晃太郎・瀬尾光平・樋野村 徹・虎澤直樹・鈴木 繁（パナソニック） SDM2010-226 |
ELK（Extremely Low-k, k=2.4）を用いた高性能な32nm世代多層配線を開発した。その新規主要技術は... [more] | SDM2010-226 pp.59-63 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]