1月20日(水) 午前  10:30 - 16:20
(1)	10:30-10:55	［依頼講演］SiC基板の評価技術とデバイス特性 ED2015-112	○北畠　真（FUPET）
(2)	10:55-11:20	［依頼講演］3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現 ED2015-113	○濱田憲治・日野史郎・三浦成久・渡邊　寛・中田修平・末川英介・海老池勇史・今泉昌之・梅嵜　勲・山川　聡（三菱電機）
(3)	11:20-11:45	［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ED2015-114	○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤　健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上　尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ）
	11:45-13:30	休憩　（ 105分 ）
(4)	13:30-13:55	［依頼講演］GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術 ED2015-115	○中原　健・近松健太郎・山口敦司・黒田尚孝（ローム）
(5)	13:55-14:20	［依頼講演］等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ～ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ～ ED2015-116	○大石敏之・嘉数　誠（佐賀大）
(6)	14:20-14:45	［依頼講演］GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送 ED2015-117	○大野泰夫（レーザーシステム）
	14:45-15:05	休憩　（ 20分 ）
(7)	15:05-15:30	［依頼講演］テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 ED2015-118	○高橋　剛・川野陽一・牧山剛三・芝　祥一・中舍安宏・原　直紀（富士通研）
(8)	15:30-15:55	GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析 ED2015-119	○渡辺伸介・今井翔平・桑田英悟・小山英寿・加茂宣卓・山本佳嗣（三菱電機）
(9)	15:55-16:20	［依頼講演］高周波用GaN-HEMTの開発 ED2015-120	○川合貴久（SEDI）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	松永 高治（日本電気) TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253 E-： k-fpc 鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学） TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455 E- : sijaist

Last modified: 2016-01-18 14:20:41