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電子ディスプレイ研究会(EID) [schedule] [select]
専門委員長 志賀 智一 (電通大)
副委員長 木村 睦 (龍谷大), 小南 裕子 (静岡大)
幹事 伊達 宗和 (NTT), 山口 雅浩 (東工大)
幹事補佐 山口 留美子 (秋田大), 新田 博幸 (ジャパンディスプレイ), 中田 充 (NHK), 小尻 尚志 (日本ゼオン), 野中 亮助 (東芝)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)

日時 2016年12月12日(月) 09:30 - 17:15
議題 シリコン関連材料の作製と評価 
会場名 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 
住所 奈良県生駒市高山町8916-5
交通案内 学研北生駒駅からバス7分 徒歩20分
http://www.naist.jp/accessmap/
会場世話人
連絡先
浦岡行治
0743-72-6060
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月12日(月) 午前 
09:30 - 17:15
(1) 09:30-09:45 Development of recombination layer in Perovskite/Microcrystalline Si tandem solar cells EID2016-9 SDM2016-90 Song ZhangYasuaki YishikawaItaru RaifukuTiphaine BourgeteauYukiharu UraokaNAIST)・Erik JohnsonMartin FoldynaYvan BonnassieuxPere Roca i CabarrocasEcole polytechnique
(2) 09:45-10:00 ヘテロ接合型FeS2-Pyrite太陽電池に向けたFeS2/NiOx接合のバンドオフセット評価 EID2016-10 SDM2016-91 河村祐亮石河泰明内山俊祐奈良先端大)・野瀬嘉太郎京大)・浦岡行治奈良先端大
(3) 10:00-10:15 SrTa2O6によるIGZO薄膜トランジスタの高性能化要因解析 及川賢人藤井茉美Bermundo Juan Paolo奈良先端大)・内山 潔鶴岡高専)・石河泰明浦岡行治奈良先端大
(4) 10:15-10:30 ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価 EID2016-11 SDM2016-92 福嶋大貴弓削政博木村 睦松田時宜龍谷大
  10:30-10:45 休憩 ( 15分 )
(5) 10:45-11:00 新規レアメタルフリーAOS-TFTの研究開発 EID2016-12 SDM2016-93 梅田鉄馬加藤雄太西本大樹松田時宜木村 睦龍谷大
(6) 11:00-11:15 IGZO薄膜素子の磁気抵抗効果に対する電極の影響 EID2016-13 SDM2016-94 符川明日香野村竜生松田時宜木村 睦龍谷大
(7) 11:15-11:30 GaSnO膜のHall効果測定 EID2016-14 SDM2016-95 今西恒太符川明日香松田時宣木村 睦龍谷大
(8) 11:30-11:45 薄膜生体刺激デバイスのin-vitro実験 EID2016-15 SDM2016-96 冨岡圭佑三宅康平松田時宜木村 睦龍谷大
(9) 11:45-12:00 薄膜コイルを用いたワイヤレス電力伝送 EID2016-16 SDM2016-97 山本友稀三澤慶悟松田時宜木村 睦龍谷大
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
(10) 13:00-13:30 [招待講演]金属酸化物抵抗変化型メモリにおけるデータ保持特性の外部ストレス耐性 EID2016-17 SDM2016-98 木下健太郎鳥取大
(11) 13:30-13:45 第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討 EID2016-18 SDM2016-99 森山拓洋肥田聡太鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大
(12) 13:45-14:00 Pt/Nb:STO接合におけるメモリ特性とショットキーパラメータの関係 塩見俊樹萩原祐仁岸田 悟木下健太郎鳥取大
(13) 14:00-14:15 自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTから成るガラス上のCMOSインバータ EID2016-19 SDM2016-100 大澤弘樹原 明人東北学院大
(14) 14:15-14:30 Ⅳ族非晶質薄膜のフラッシュランプ結晶化における熱力学的考察 EID2016-20 SDM2016-101 松尾直人吉岡尚輝部家 彰兵庫県立大)・中村祥章横森岳彦吉岡正樹ウシオ電機
(15) 14:30-14:45 アイランド状a-Ge膜のFLA結晶化 EID2016-21 SDM2016-102 吉岡尚輝部家 彰松尾直人兵庫県立大)・中村祥章横森岳彦吉岡正樹ウシオ電機
(16) 14:45-15:00 p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減 EID2016-22 SDM2016-103 榎薗太郎木本恒暢須田 淳京大
  15:00-15:15 休憩 ( 15分 )
(17) 15:15-15:30 DNA/Si-MOSFET,寄生容量制御によるインバータ回路の検討 EID2016-23 SDM2016-104 中野 響松尾直人部屋 彰高田忠雄山名一成兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大
(18) 15:30-15:45 加熱金属線を用いたペンタセンの分解とグラフェン系有機膜の形成 EID2016-24 SDM2016-105 部家 彰松尾直人兵庫県立大
(19) 15:45-16:00 非晶質InGaZnO薄膜の熱電特性評価 EID2016-25 SDM2016-106 多和勇樹上沼睦典藤本裕太瀬名波大貴石河泰明浦岡行治奈良先端大
(20) 16:00-16:15 薄膜トランジスタによるセルラニューラルネットワークでの文字認識 EID2016-26 SDM2016-107 杉崎澄生松田時宜木村 睦龍谷大
(21) 16:15-16:30 GTO薄膜を用いたプレーナ型シナプスの特性評価 EID2016-27 SDM2016-108 生島恵典梅田鉄馬松田時宜木村 睦龍谷大
(22) 16:30-16:45 ニューラルネットワークのハードウェア化におけるキャパシタ型シナプスの検討 EID2016-28 SDM2016-109 和多田晃樹中西弘樹木村 睦松田時宜龍谷大
(23) 16:45-17:00 a-IGZO薄膜を用いたニューラルネットワークのシナプスの作製 EID2016-29 SDM2016-110 堀 賢将田中 遼古我祐貴松田時宜木村 睦龍谷大
(24) 17:00-17:15 セルラニューラルネットワークのアナログ回路シミュレーション EID2016-30 SDM2016-111 横山朋陽木村 睦松田時宜龍谷大

講演時間
一般講演発表 12 分 + 質疑応答 3 分
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
EID 電子ディスプレイ研究会(EID)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E--mail: e3 


Last modified: 2016-10-26 13:59:55


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