11月16日(金) 午後  12:30 - 17:50
(1)	12:30-12:55	Bi-2212固有ジョセフソン接合の温度特性の解析 CPM2007-105	○毛利千里・小黒恭平・吉田　隆・富永隼賢・加藤孝弘・濱崎勝義（長岡技科大）
(2)	12:55-13:20	Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価 CPM2007-106	○吉田　隆・名和海明・富永隼賢・三輪　淳・加藤孝弘・濱崎勝義（長岡技科大）・島影　尚（NICT）
(3)	13:20-13:45	RFプラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性・光学的特性 CPM2007-107	○テンクー ナズリン ビン テンクー イブラヒム・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大）
(4)	13:45-14:10	低温成膜したITO薄膜を用いた有機EL素子の検討	○中田悠介・宮崎伸介・梅津　岳・伊藤嘉宏・二木雅斗・清水英彦・丸山武男（新潟大）・星　陽一（東京工芸大）・皆川正寛（日本精機）
	14:10-14:20	休憩　（ 10分 ）
(5)	14:20-14:45	第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価 CPM2007-108	○朝野　章（長岡技科大）・片桐裕則（長岡高専）・黒木雄一郎・安井寛治・高田雅介・赤羽正志（長岡技科大）
(6)	14:45-15:10	スパッタビーム堆積法によるMo/Si多層薄膜の作製	○長浜大作・愛甲隆史・平田　真・清水英彦・丸山武男・岡　徹雄・岩野春男（新潟大）
(7)	15:10-15:35	2スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO2薄膜の高速堆積 CPM2007-109	境　哲也・神谷　攻・○星　陽一（東京工芸大）・清水英彦（新潟大）
(8)	15:35-16:00	ガスフロースパッタ法で作製されたZrO2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数 CPM2007-110	○岩坪　聡（富山県工技センター）
	16:00-16:10	休憩　（ 10分 ）
(9)	16:10-16:35	ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性 CPM2007-111	○武山真弓（北見工大）・中台保夫・神原正三（アルバックマテリアル）・畠中正信（アルバック）・野矢　厚（北見工大）
(10)	16:35-17:00	ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御 CPM2007-112	武山真弓・○佐藤　勝・野矢　厚（北見工大）
(11)	17:00-17:25	サファイア基板及び白金電極上のCr2O3スパッタ薄膜の結晶成長 CPM2007-113	○大月俊平・浅田　毅・岩田展幸・山本　寛（日大）
(12)	17:25-17:50	ディップコートしたFeMo及びFePtナノ粒子触媒を用いたCVD法によるカーボンナノチューブの成長 CPM2007-114	○石塚大祐・園村拓也・奥山博基・岩田展幸・山本　寛（日大）
11月17日(土) 午前  09:00 - 15:55
(13)	09:00-09:25	ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ～ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ～ CPM2007-115	○深田祐介・安部和貴・黒木雄一郎（長岡技科大）・末光眞希・伊藤　隆（東北大）・成田　克（九工大）・遠藤哲郎（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・高田雅介・安井寛治・赤羽正志（長岡技科大）
(14)	09:25-09:50	モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe, SiCナノドットの形成と制御 CPM2007-116	○荻原智明・須藤晴紀・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大）
(15)	09:50-10:15	ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性 CPM2007-117	○牧野雄一郎・三浦仁嗣・西山　洋・安井寛治・高田雅介・井上泰宣・赤羽正志（長岡技科大）
(16)	10:15-10:40	バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製 CPM2007-118	○石田芳樹・陳　晨・萩原正宜・塩沢宏章・仙石　昌・林部林平・山上朋彦・上村喜一（信州大）
	10:40-10:50	休憩　（ 10分 ）
(17)	10:50-11:15	Cu2ZnSnS4のバルク単結晶とゾル－ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性 CPM2007-119	○宮本裕介・田中久仁彦・大貫雅俊・森竹典子・打木久雄（長岡技科大）
(18)	11:15-11:40	ゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製と評価 CPM2007-120	○大貫雅俊・森竹典子・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大）
(19)	11:40-12:05	PCD法によるCu2ZnSnS4を用いた3Dセル構造の作製 CPM2007-121	○森谷克彦・佐伯勇輔・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大）
	12:05-13:15	昼食　（ 70分 ）
(20)	13:15-13:40	PLD法によるEuGa2S4薄膜の作製と評価 CPM2007-122	○金田亮平・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大）
(21)	13:40-14:05	Sn添加CaAl2S4の光学特性 CPM2007-123	○太田　均・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大）
(22)	14:05-14:30	ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製 ～ 膜厚の制御 ～ CPM2007-124	○上條和隆・小林敏志・坪井　望（新潟大）
	14:30-14:40	休憩　（ 10分 ）
(23)	14:40-15:05	Electrical properties of ZnSnAs2 thin films grown by MBE CPM2007-125	○Joel T. Asubar・Tadasuke Yokoyama・Yoshio Jinbo・Naotaka Uchitomi（Nagaoka Univ. of Tech.）
(24)	15:05-15:30	強磁性半導体(Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAs超格子構造のMBE成長とその低温熱処理効果 CPM2007-126	○中川久幸・ジョエル アスバル・神保良夫・内富直隆（長岡技科大）
(25)	15:30-15:55	Si基板上に成長したGaSb/AlGaSb多重量子井戸構造の評価 CPM2007-127	○豊田英之・安田武史・藤江周作（長岡技科大）・中村新一（青学大）・神保良夫・内富直隆（長岡技科大）

問合先と今後の予定
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	清水英彦（新潟大学） TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811 E-: engi-u 竹村 泰司（横浜国立大学） TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151 E-: y

Last modified: 2007-09-21 03:53:49